Описание и применение
КП7175А — мощный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором и индуцированным N-каналом производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград, Москва). Предназначен для работы в качестве силового ключа. Зарубежный аналог — IXFH75N10.
Прибор рассчитан на напряжение сток-исток до 100 В и постоянный ток стока до 75 А. Отличается низким сопротивлением открытого канала RDS(on) ≤ 26 мОм, малым подзатворным зарядом и высокой скоростью переключения.
Основные области применения: DC-DC преобразователи, источники питания, устройства зарядки аккумуляторов, низковольтные реле и автоэлектроника. Выпускается в корпусах TO-218 и ТО-3 (КТ-9).
Технические характеристики
| Структура | полевой, MOSFET, N-канальный (с индуцированным каналом) |
| Напряжение сток-исток VDSS (VGS=0, TJ=25°C) | 100 В |
| Напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS | 100 В (мин.) |
| Напряжение затвор-исток VGSS | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвор-исток VGS(th) | 2,5…4,5 В |
| Постоянный ток стока ID (VGS=10 В) | 75 А |
| Импульсный ток стока IDM (Tимп=10 мкс) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность PD | 300 Вт |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | ≤ 26 мОм |
| Входная ёмкость CISS (VDS=25 В, f=1 МГц) | 4500 пФ (тип.) |
| Выходная ёмкость COSS | 1600 пФ (тип.) |
| Проходная ёмкость CRSS | 800 пФ (тип.) |
| Начальный ток стока IDSS (TJ=25°C / 125°C) | 26 мкА / 250 мкА (макс.) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100 нА (макс.) |
| Время включения td(on) / нарастания tr | 20…30 нс / 60…110 нс |
| Время выключения td(off) / спада tf | 80…110 нс / 60…90 нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC | 0,42 К/Вт |
| Макс. скорость нарастания напряжения dv/dt | 5 В/нс |
| Диапазон рабочих температур кристалла TJ | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-218, ТО-3 (КТ-9) |
| Масса (ТО-218 / ТО-3) | 5,5 г / 20 г |
Техническая документация
