Описание и применение
КП7180Б — мощный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором и N-каналом производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Отличается низким зарядом затвора, малым сопротивлением открытого канала RDS(on) и высокой скоростью переключения.
Рассчитан на напряжение сток-исток до 500 В и постоянный ток стока 26 А. Предназначен для DC-DC преобразователей, источников питания, зарядных устройств аккумуляторов, низковольтных реле и автоэлектроники, а также устройств управления светом и температурой.
Выпускается в корпусах TO-218 и ТО-3 (КТ-9). Прямые аналоги производителем не указаны.
Технические характеристики
| Структура | Полевой (МОП/MOSFET), N-канальный |
| Макс. напряжение сток-исток UDSS | 500 В |
| Макс. напряжение затвор-исток UGSS | ±20 В |
| Постоянный ток стока ID | 26 А (при UGS=10 В) |
| Импульсный ток стока IDM | 100 А (tимп=10 мкс) |
| Рассеиваемая мощность PD | 300 Вт (Tc=25 °C) |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | ≤ 200 мОм (UGS=10 В) |
| Пороговое напряжение UGS(th) | 2,5…4,5 В |
| Напряжение пробоя V(BR)DSS | 500 В (мин.) |
| Начальный ток стока IDSS | ≤ 25 мкА (25 °C); ≤ 1 мА (125 °C) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100 нА |
| Входная ёмкость CISS | 3900 пФ (f=1 МГц) |
| Выходная ёмкость COSS | 450 пФ |
| Проходная ёмкость CRSS | 135 пФ |
| Времена переключения | td(on)≤25 нс, tr≤45 нс, td(off)≤80 нс, tf≤40 нс |
| Скорость нарастания dv/dt | 5 В/нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-основание RthJC | 0,42 К/Вт |
| Встроенный диод | IS=26 А, USD≤1,5 В, trr≤250 нс |
| Рабочая температура кристалла TJ | −55…+150 °C |
| Корпус | TO-218, ТО-3 (КТ-9) |
| Масса | TO-218: 5,5 г; ТО-3: 20 г |
Техническая документация
Исполнения серии
КП7180А
