Описание и применение
КЕ713 — мощный кремниевый N-канальный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), изготовленный по канавочной (trench) технологии затвора. Производитель — ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград, Москва). Выпускается по ТУ АДБК432140.279ТУ.
Прибор предназначен для применения в стробоскопических вспышках, драйверах мощных MOSFET, в бытовой и прочей технике. Отличительные особенности: высокая плотность ячеек, высокое входное сопротивление, низкое напряжение насыщения VCE(sat) и оптимальное управляющее напряжение на затворе 3,0 В.
Выпускается в пластмассовом корпусе КТ-89 (ТО-252, D-Pak) — исполнение А9, а также в бескорпусном исполнении (кристалл) — исполнение А-5 для использования в составе гибридных схем. Аналоги: GT5G131 (TOSHIBA), 4CC10KB (CHENMKO).
Технические характеристики
| Структура | N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), trench-технология |
| Напряжение коллектор-эмиттер, UCES | 400 В |
| Напряжение затвор-эмиттер, UGES (пост / имп) | ±6 / ±8 В |
| Ток коллектора постоянный, Ic | 8 А |
| Ток коллектора импульсный (1 мс), Icp | 150 А |
| Рассеиваемая мощность коллектора, PD | 20 Вт (исп. А9) / 1,3 Вт (исп. А-5) |
| Температура перехода, Tj | -55…+150 °C |
| Ток утечки затвора, IGES (VGE=6В, VCE=0) | макс. 0,5 мкА |
| Ток отсечки коллектора, ICES (VCE=400В, VGE=0) | макс. 10 мкА |
| Напряжение отсечки затвор-эмиттер, VGE(OFF) (IC=1мА, VCE=5В) | 2,5…5 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, VCE(sat) | макс. 8 В при IC=150 А (VGE=3,0В) |
| Входная ёмкость, CIES (VCE=10В, VGE=0, f=1МГц) | 3500 пкФ |
| Время нарастания, tR | 1,2 мкс |
| Время включения, ton | 1,4 мкс |
| Время спада, tf | 1,8 мкс |
| Время выключения, toff | 2,4 мкс |
| Корпус | КТ-89 (ТО-252, D-Pak), исп. А9 / бескорпусный кристалл, исп. А-5 |
| ТУ | АДБК432140.279ТУ |
Техническая документация
