Описание и применение
КП7177А — мощный полевой транзистор с изолированным затвором (МОП/MOSFET) с N-каналом, производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Аналог IXFH50N20.
Рассчитан на напряжение сток-исток до 200 В и постоянный ток стока до 50 А при рассеиваемой мощности 300 Вт. Отличается низким сопротивлением открытого канала RDS(on) ≤ 49 мОм, низким подзатворным зарядом и высокой скоростью переключения.
Применяется в DC-DC преобразователях, источниках питания, устройствах зарядки аккумуляторов, низковольтных реле и автоэлектронике. Корпус TO-218 / ТО-3 (КТ-9): вывод 1 — затвор, 2 — сток, 3 — исток.
Технические характеристики
| Структура | полевой, МОП с N-каналом (N-channel MOSFET) |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 200 В |
| Напряжение затвор-исток (VGSS) | ±20 В |
| Постоянный ток стока (ID) | 50 А (при VGS=10 В) |
| Импульсный ток стока (IDM) | 200 А (Tимп=10 мкс) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | ≤ 49 мОм (VGS=10 В, ID=25 А) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,5…4,5 В (VDS=20 В, ID=4 мА) |
| Напряжение пробоя V(BR)DSS | 200 В (мин., ID=250 мкА) |
| Начальный ток стока IDSS | ≤ 200 мкА (25°C) / ≤ 1 мА (125°C), VDS=160 В |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100 нА (VGS=±20 В) |
| Входная ёмкость CISS | 4500 пФ (тип., f=1 МГц) |
| Выходная ёмкость COSS | 800 пФ (тип.) |
| Проходная ёмкость CRSS | 285 пФ (тип.) |
| Времена переключения | td(on)=18 нс, tr=15 нс, td(off)=72 нс, tf=16 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление кристалл-основание RthJC | 0,42 К/Вт (ТО-218) / 0,25 К/Вт (ТО-3, КТ-9) |
| Встроенный диод | IS=50 А; VSD=1,5 В (IF=75 А); trr=200 нс |
| Скорость нарастания dv/dt | 5 В/нс |
| Рабочая температура кристалла | −55…+150°C |
| Корпус | TO-218 / ТО-3 (КТ-9) |
| Масса | 5,5 г (ТО-218) / 20 г (ТО-3) |
Техническая документация
Исполнения серии
КП7177Б
