Описание и применение
КП7182А — мощный полевой транзистор со структурой металл-окисел-полупроводник (MOSFET) с индуцированным N-каналом, производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград, Москва). Заявленный зарубежный аналог — IXFH20N60.
Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 20 А при низком сопротивлении открытого канала RDS(on) ≤ 350 мОм. Отличается низким подзатворным зарядом и быстрым переключением.
Область применения: DC-DC преобразователи, импульсные источники питания, устройства зарядки аккумуляторов. Выпускается в корпусах TO-218 и ТО-3 (КТ-9); выводы: 1 — затвор, 2 — сток, 3 — исток.
Технические характеристики
| Структура | полевой (MOSFET), N-канальный, обогащённый |
| Напряжение сток-исток, VDSS | 600 В (VGS=0 В, TJ=25 ºC) |
| Напряжение пробоя сток-исток, V(BR)DSS | 600 В (мин.; VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Напряжение затвор-исток, VGSS | ±20 В (VDS=0 В) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,5…4,5 В (VDS=20 В, ID=4 мА) |
| Постоянный ток стока, ID | 20 А (VGS=10 В) |
| Импульсный ток стока, IDM | 80 А (Tимп=10 мкс) |
| Сопротивление открытого канала, RDS(on) | ≤ 350 мОм (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Рассеиваемая мощность, PD | 300 Вт |
| Начальный ток стока, IDSS | ≤ 25 мкА при 25 ºC; ≤ 1 мА при 125 ºC (VDS=VDSS, VGS=0 В) |
| Ток утечки затвор-исток, IGSS | ±100 нА (VGS=±20 В, VDS=0 В) |
| Входная ёмкость, CISS | 3300 пФ (тип.; VDS=25 В, f=1 МГц) |
| Выходная ёмкость, COSS | 420 пФ (тип.) |
| Проходная ёмкость, CRSS | 140 пФ (тип.) |
| Времена переключения (тип.) | td(on)=20 нс, tr=43 нс, td(off)=70 нс, tf=40 нс (VDS=300 В, ID=10 А, RG=2 Ω) |
| Макс. скорость нарастания dv/dt | 5 В/нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-основание, RthJC | 0,42 К/Вт |
| Встроенный диод | IS=20 А; VSD ≤ 1,5 В; trr ≤ 250 нс |
| Рабочая температура кристалла, TJ | −55…+150 ºC |
| Температура хранения, TSTG | −55…+125 ºC |
| Корпус | TO-218; ТО-3 (КТ-9) |
| Масса | 5,5 г (ТО-218); 20 г (ТО-3) |
Техническая документация
