Описание и применение
КЕ714 — мощный кремниевый логический N-канальный биполярный эпитаксиально-планарный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ / IGBT) производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Прибор предназначен для применения в системах электронного зажигания автотехники.
Транзистор имеет внутреннюю блокировку с ESD-защитой цепи затвор-эмиттер и защитой перехода затвор-коллектор от высоких напряжений. Температурно-скомпенсированный блок затвор-сток ограничивает влияние нагрузки.
Отличительные особенности: встроенная диодная ESD-защита; низкое пороговое напряжение при работе с логическими элементами и микропроцессорами; низкое напряжение насыщения; способность выдерживать большие импульсные токи. Аналоги — MGP20N40CL, IRGB14C40L. Выпускается в корпусах ТО-220 (КЕ714А), ТО-263 (КЕ714А9) и в бескорпусном исполнении — кристалле (КЕ714А-5) для гибридных схем.
Технические характеристики
| Структура | БТИЗ (IGBT), N-канальный, биполярный с изолированным затвором |
| Ток коллектора постоянный, Iс | 20 А |
| Ток коллектора импульсный, Iсp (имп. <100 мкс) | 12 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер, UCES | ограничено (внутренней блокировкой) |
| Напряжение коллектор-затвор, UCGR | ограничено |
| Напряжение затвор-эмиттер, UGE | ограничено |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, BVCES (IClamp=10 мА) | мин 330 / тип 350 / макс 440 В |
| Обратное напряжение пробоя коллектор-эмиттер, BVCER (IE=75 мА) | 26 / 40 / 120 В (мин/тип/макс) |
| Напряжение пробоя затвор-эмиттер, BVGES | 11 / 13 / 15 ±В (мин/тип/макс) |
| Сопротивление затвор-эмиттер, RGE | 10K / 16K / 30K Ω |
| Пороговое напряжение, VCE(TH) (VCE=VGE, IC=1 мА) | 1 / 1,7 / 2,4 В |
| Напряжение К-Э во включённом состоянии, VCE(ON), VGE=5В, IC=5А | тип 1,1 / макс 1,4 В |
| Напряжение К-Э во включённом состоянии, VCE(ON), VGE=5В, IC=10А | тип 1,4 / макс 1,9 В |
| Мощность рассеяния, PD | 150 Вт |
| Температура перехода, Tj | -55 ÷ +175 °C |
| Корпус | ТО-220 (КЕ714А), ТО-263 (КЕ714А9), бескорпусной кристалл (КЕ714А-5) |
| ТУ | АДКБ.432140.005ТУ |
Техническая документация
