Описание и применение
КТ8260А — мощный кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n, эпитаксиально-планарной переключающей конструкции с высокой линейностью коэффициента усиления в широком диапазоне токов. Производитель — ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Выпускается в пластмассовом корпусе TO-220.
Прибор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, в ключевых схемах с индуктивной нагрузкой, критичных к временам спада: импульсные модуляторы, инверторы, контроллеры и др.
КТ8260А — младшая по напряжению модификация серии КТ8260 (А, Б, В): для неё Uкбо=600 В, Uкэо=300 В. Указанные аналоги: КТ841, KSE13008/13009, MJE18008/18009, MJE13008/13009, KSC5025, BUF410.
Технические характеристики
| Структура | n-p-n (кремниевый, эпитаксиально-планарный переключающий) |
| Ток коллектора постоянный, Iк | 15 А |
| Ток коллектора импульсный, Iки | 25 А |
| Ток базы постоянный, Iб | 6 А |
| Напряжение коллектор-эмиттер, Uкэо | 300 В |
| Напряжение коллектор-база, Uкбо | 600 В |
| Напряжение эмиттер-база, Uэбо | 9 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер граничное, UкэоГР | >300 В (Iк=10 мА, Iб=0) |
| Рассеиваемая мощность коллектора, Pк max | 100 Вт |
| Статический коэффициент передачи тока, h21Э | >15 (Iк=8 А, Uкэ=5 В) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, Uкэ.нас | ≤1,5 В (Iк=5 А, Iб=1 А) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, Uбэ.нас | ≤1,2 В (Iк=5 А, Iб=1 А) |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, Iкэо | <100 мкА (Uкб=600 В, Rб=∞) |
| Обратный ток коллектор-база, Iкбо | <100 мкА |
| Обратный ток эмиттер-база, Iэбо | ≤1 мкА (Uэб=5 В, Iко=0) |
| Температура перехода, Tj | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-220 (пластмассовый) |
| ТУ | АДКБ.432140.005 ТУ |
Техническая документация
