Описание и применение
КТ8258А2 — мощный кремниевый транзистор структуры n-p-n, биполярный эпитаксиально-планарный быстродействующий переключающий, из серии КТ8258 производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Выпускается в пластмассовом корпусе ТО-220, а также в бескорпусном исполнении (кристалл) для гибридных схем.
Прибор предназначен для работы в индуктивных цепях, в линейных и ключевых схемах, в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания и в других схемах аппаратуры широкого применения.
Индекс А2 относится к группе А-А2 (высоковольтная: Uкбо 700 В, Uкэо 400 В) и означает статический коэффициент передачи тока h21Э >80. Аналоги серии: КТ884, MJE13004, MJE13005, KSE13004, KSE13005.
Технические характеристики
| Структура | кремниевый n-p-n (NPN), биполярный эпитаксиально-планарный, быстродействующий переключающий |
| Напряжение коллектор-база Uкбо | 700 В (макс.; при Rб=∞) |
| Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо | 400 В (макс.) |
| Напряжение эмиттер-база Uэбо | 9 В (макс.) |
| Напряжение коллектор-эмиттер граничное UкэоГР | ≥400 В (при Iк=10 мА, Iб=0) |
| Ток коллектора постоянный Iк | 4 А (макс.) |
| Ток коллектора импульсный Iки | 8 А (макс.) |
| Ток базы постоянный Iб | 2 А (макс.) |
| Рассеиваемая мощность коллектора Pк max | 60 Вт |
| Статический коэффициент передачи тока h21Э (группа А2) | >80 (при Iк=2 А, Uкэ=5 В) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ.нас | ≤3,5 В (при Iк=2 А, Iб=0,5 А) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ.нас | ≤0,6 В (при Iк=2 А, Iб=0,5 А) |
| Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо | ≤50 мкА |
| Обратный ток коллектор-база Iкбо | ≤50 мкА (при Uкб=700 В, Rб=∞) |
| Обратный ток эмиттер-база Iэбо | ≤1,2 мА (при Uэб=9 В) |
| Температура перехода Tj | -65 … +150 °C |
| Корпус | ТО-220 (пластмассовый); также бескорпусный кристалл |
| ТУ | АДКБ.432140.00_ ТУ |
Техническая документация
