Описание и применение
КП7177Б — мощный полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET), изготавливаемый ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Прибор с индуцированным N-каналом, зарубежный аналог — IRFP260.
Рассчитан на напряжение сток-исток до 200 В и постоянный ток стока 45 А при низком сопротивлении открытого канала Rds(on) ≤ 55 мОм. Отличается низким подзатворным зарядом, малым сопротивлением канала и высоким быстродействием.
Область применения: DC-DC преобразователи, источники питания, зарядные устройства аккумуляторов, низковольтные реле, автоэлектроника, устройства управления светом и температурой.
Технические характеристики
| Структура | полевой MOSFET, N-канальный |
| Напряжение сток-исток, макс. (VDSS) | 200 В |
| Напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS | 200 В (мин., ID=250 мкА) |
| Напряжение затвор-исток, макс. (VGS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,5…4,5 В |
| Постоянный ток стока (ID) | 45 А (VGS=10 В, TJ=25°C) |
| Импульсный ток стока (IDM) | 180 А (tимп=10 мкс) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 250 Вт |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | ≤ 55 мОм |
| Входная ёмкость CISS | 5200 пФ |
| Выходная ёмкость COSS | 1100 пФ |
| Проходная ёмкость CRSS | 310 пФ |
| Начальный ток стока IDSS | ≤ 25 мкА (TJ=25°C); ≤ 250 мкА (VDS=160 В, TJ=125°C) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100 нА |
| Время включения/нарастания (td(on)/tr) | 29 нс / 120 нс |
| Время выключения/спада (td(off)/tf) | 110 нс / 92 нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC | 0,42 °C/Вт |
| Рабочая температура кристалла TJ | -55…+150 °C |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 5 В/нс |
| Встроенный диод: IS / VSD / trr | 45 А / 1,8 В / 420 нс |
| Корпус | TO-218, TO-3 (КТ-9) |
| Масса | TO-218 — 5,5 г; TO-3 — 20 г |
| Производитель / аналог | ЗАО «ЭПЛ»; аналог IRFP260 |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП7177А
