Описание и применение
КТ8282В — мощный кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Относится к серии КТ8282 с вариантами исполнения А, Б, В, различающимися по допустимому напряжению коллектор-эмиттер.
Прибор предназначен для применения в схемах управления двигателями, низковольтовых преобразователях DC/DC и DC/AC, источниках бесперебойного питания и источниках лазерной накачки.
Отличительная особенность — комплементарная пара (к КТ8283) на токи коллектора 25-60 А с низким напряжением насыщения. Выпускается в пластмассовом корпусе TO-218, а также в бескорпусном исполнении (кристалл) для использования в составе гибридных схем.
Технические характеристики
| Структура | n-p-n, кремниевый |
| Тип | биполярный эпитаксиально-планарный, мощный |
| Напряжение коллектор-база Uкбо | 120 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо | 120 В |
| Напряжение эмиттер-база Uэбо | 5 В |
| Ток коллектора постоянный Iк | 60 А |
| Ток коллектора импульсный Iки | 80 А |
| Ток базы постоянный Iб | 5 А |
| Рассеиваемая мощность Pк max | 120 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ.нас | ≤0,8 В (Iк=30 А, Iб=50 мА) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ.нас | ≤2,5 В (Iк=30 А, Iб=50 мА) |
| Статический коэффициент передачи тока h21Э | ≥120 (Iк=50 А, Uкэ=5 В) |
| Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо | ≤150 мкА |
| Обратный ток коллектор-база Iкбо | ≤100 мкА |
| Обратный ток эмиттер-база Iэбо | ≤20 мкА |
| Температура перехода Tj | −65…+150 °C |
| Корпус | TO-218 (пластмасса); также бескорпусное исполнение (кристалл) |
| ТУ | АДКБ.432140.___ ТУ |
Техническая документация
