Описание и применение
КП767А (АООТ ВЗПП) — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор со встроенным обратным (защитным) диодом. Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии, малой мощностью управления по затвору и высоким коммутируемым напряжением. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Прибор рассчитан на постоянный ток стока 5,2 А (при 25 °C) и максимальное напряжение сток-исток 200 В, рассеиваемая мощность — до 50 Вт. Управление по затвору с пороговым напряжением 2,0…4,0 В; сопротивление открытого канала RDS(on) не более 0,80 Ом при VGS = 10 В.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства ЭВМ и телекоммуникационное оборудование.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (MOSFET) со встроенным диодом |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Постоянный ток стока ID | 5,2 А (при TC = 25 °C); 3,3 А (при TC = 70 °C) |
| Импульсный ток стока IDM | 18 А |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | не более 0,80 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,1 А) |
| Крутизна характеристики gfs | не менее 1,5 А/В |
| Рассеиваемая мощность PD | 50 Вт (при TC = 25 °C); снижение 0,40 Вт/°C |
| Остаточный ток стока IDSS | не более 25 мкА (VDS = 200 В); до 250 мкА (VDS = 160 В, TJ = 150 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS | прямой до 100 нА (VGS = 20 В); обратный до -100 нА (VGS = -20 В) |
| Энергия пробоя одиночным импульсом EAS | 110 мДж |
| Встроенный диод: ток IS / ISM | 5,2 А / 18 А, прямое напряжение VSD до 1,8 В |
| Встроенный диод: время восстановления trr | тип. 150 нс, макс. 300 нс |
| Встроенный диод: заряд рассасывания Qrr | тип. 0,91; макс. 1,8 мкКл |
| Диапазон температур TJ / TSTG | от -55 до +150 °C |
| Температура пайки | 300 °C (при времени менее 10 с) |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП767Д
