Описание и применение
КП812Б1 (АООТ ВЗПП) — мощный N-канальный МОП полевой транзистор со встроенным (обратным) диодом. Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии и малой мощностью управления.
Рабочая температура кристалла до 150 °C, коммутирует высокие напряжения. Постоянный ток стока до 35 А, рассеиваемая мощность до 100 Вт.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления электродвигателями постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия ПК и телекоммуникационное оборудование.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (со встроенным диодом) |
| Постоянный ток стока ID (Tc=25 °C) | 35 А |
| Постоянный ток стока ID (Tc=70 °C) | 22 А |
| Импульсный ток стока IDM | 68 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 60 В |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность PD (Tc=25 °C) | 100 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0.40 Вт/°C |
| Сопротивление сток-исток RDS(on) | 0.035 Ом (макс.; VGS=10 В, ID=24 А) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2.0…4.0 В |
| Крутизна характеристики gfs | 5.5 А/В (мин.) |
| Остаточный ток стока IDSS | до 250 мкА (VDS=48 В, TJ=125 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА |
| Энергия пробоя одиночным импульсом EAS | 100 мДж |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 4.5 В/нс |
| Прямое напряжение на диоде VSD | до 1.5 В |
| Время восстановления диода trr | 88…180 нс |
| Заряд рассасывания Qrr | 0.29…0.64 мкКл |
| Диапазон температур TJ/TSTG | от -55 до +150 °C |
| Температура пайки (<10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП812
