Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2П824А-5 — мощный N-канальный ДМОП полевой транзистор со встроенным обратным диодом


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2П824А-5 — мощный N-канальный ДМОП (DMOS) полевой транзистор производства ОАО «Ангстрем» (Зеленоград) со встроенным обратным диодом. Рассчитан на напряжение сток-исток до 800 В при сопротивлении открытого канала около 0,8 Ом.

Предназначен для применения в аппаратуре специального назначения. Поставляется в бескорпусном исполнении — на общей пластине или разделённым на кристаллы; параметры нормируются «в условном корпусе» и для кристалла.

Особенности: супервысокая плотность упаковки ячеек, обеспечивающая низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии, и возможность параллельного включения приборов.

Технические характеристики

СтруктураN-канальный ДМОП (DMOS) полевой, со встроенным обратным диодом
Пробивное напряжение сток-исток Uси проб (Uзи=0 В, Iс=100 мкА)800 В (мин.)
Постоянный ток стока Iс (Uзи=10 В, Tкорп=25 °C)14 А
Сопротивление сток-исток открытого канала Rси откр (Iс=7 А, Uзи=10 В)0,8 Ом (макс.)
Пороговое напряжение Uзи пор (Iс=0,25 мА, Uзи=Uси)2…4 В
Напряжение затвор-исток Uзи (макс.)±20 В
Ток утечки затвора Iз ут (Uзи=±20 В, Uси=0 В)±100 нА
Рабочая температура−60…+125 °C
Исполнение / корпусБескорпусное (пластина Ø150 мм или отдельные кристаллы); размер кристалла 8,3×8,3 мм, толщина 300±30 мкм
Уровень технологии1,2 мкм
Металлизация обратной стороныTi-Ni-Ag
ПроизводительОАО «Ангстрем», Зеленоград

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»