Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


КП767В — N-канальный мощный МОП полевой транзистор (MOSFET)


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

КП767В — мощный N-канальный МОП полевой транзистор (MOSFET) со встроенным обратным диодом, выпускаемый АООТ «ВЗПП». Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) до 0.18 Ом), малой мощностью управления и высоким коммутируемым напряжением (сток-исток до 200 В).

Максимально допустимый постоянный ток стока — 18 А (при TC=25°C), рассеиваемая мощность — 125 Вт. Рабочая температура кристалла до +150°C.

Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия для компьютеров, телекоммуникационное оборудование.

Технические характеристики

Структураполевой, N-канальный МОП (MOSFET), со встроенным диодом
Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS200 В (мин.)
Постоянный ток стока ID (TC=25°C)18 А
Постоянный ток стока ID (TC=70°C)11 А
Импульсный ток стока IDM72 А
Рассеиваемая мощность PD (TC=25°C)125 Вт
Снижение мощности от температуры1.0 Вт/°C
Напряжение затвор-исток VGS±20 В
Сопротивление сток-исток RDS(on)0.18 Ом (при VGS=10 В, ID=11 А)
Пороговое напряжение VGS(th)2.0…4.0 В
Крутизна характеристики gfs6.7 А/В (мин.)
Темп. коэфф. V(BR)DSS0.29 В/°C
Остаточный ток стока IDSS250 мкА (VDS=200 В, VGS=0 В); 25 мкА (VDS=160 В, TJ=125°C)
Ток утечки затвора IGSS100 нА (прямой, VGS=20 В); -100 нА (обратный, VGS=-20 В)
Энергия пробоя одиночным импульсом EAS580 мДж
Ток лавинного пробоя IAR18 А
Энергия пробоя повторяющимися импульсами EAR13 мДж
Скорость нарастания напряжения dv/dt5.0 В/нс
Встроенный диод: постоянный ток истока IS18 А (импульсный ISM 72 А)
Прямое напряжение на диоде VSD2.0 В (макс.)
Время восстановления диода trr300 нс (тип.), 610 нс (макс.)
Заряд рассасывания Qrr3.4 мкКл (тип.), 7.1 мкКл (макс.)
Диапазон температур перехода/храненияот -55 до +150 °C
Температура пайки (менее 10 сек)300 °C
ПроизводительАООТ «ВЗПП»

Техническая документация

Все исполнения серии: КП767Д

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»