Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


ПИЛОН-3А — кремниевый мощный составной (Дарлингтона) NPN-транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

ПИЛОН-3А — кремниевый мощный составной (Дарлингтона) транзистор структуры n-p-n производства АООТ «ВЗПП». Предназначен для применения в переключающих схемах, преобразователях напряжения и в усилителях тока.

Прибор имеет встроенный диод в цепи коллектор-эмиттер и внутренние резисторы база-эмиттер (R1 ≈ 7 кОм, R2 ≈ 150 Ом), характерные для составной схемы Дарлингтона. Рабочий диапазон температур перехода от −65 до +150 °C.

Близкими аналогами являются приборы TIP122 (Motorola) и КТ8116А. Возможно исполнение в варианте «Пилон-3Б» с дополнительным ускоряющим диодом (Uэб max = 0,5 В).

Технические характеристики

Структураn-p-n, кремниевый, составной (Дарлингтон)
Напряжение коллектор-база Uкб100 В
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (Iб=0)100 В
Напряжение эмиттер-база Uэб5 В
Граничное напряжение Uкэо(sus)100 В (мин)
Постоянный ток коллектора Iк15 А
Импульсный ток коллектора Iк.и20 А
Постоянный ток базы Iб0,5 А
Рассеиваемая мощность Pрас65 Вт (Tк=25 °C); 2 Вт (Tокр=25 °C)
Статический коэффициент передачи тока h21э (hFE)1000 (Iк=0,5/3/5 А); 100 (Iк=15 А)
Напряжение насыщения Uкэ(нас)1,5 / 1,7 / 2,5 В (макс, при разных режимах)
Напряжение насыщения Uбэ(нас)2 / 2,3 В (макс)
Входное напряжение Uбэ(on)2 В (макс, Iк=3 А, Uкэ=3 В)
Обратный ток Iкэо0,1 мА (Uкэ=100 В, Iб=0)
Обратный ток Iкбо0,1 мА (Uкб=100 В)
Обратный ток Iэбо2 мА (Uэб=5 В)
Энергия пробоя на индуктивную нагрузку50 мДж
Температура перехода Tj max+150 °C
Диапазон рабочих температур перехода−65…+150 °C
ПроизводительАООТ «ВЗПП»

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»