Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


КП769А — N-канальный МОП полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

КП769А — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор со встроенным обратным диодом. Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (0.27 Ом) и малой мощностью управления по затвору.

Рабочая температура кристалла до 150 °C. Максимальное напряжение сток-исток 100 В, постоянный ток стока до 9.2 А (при T корпуса 25 °C), рассеиваемая мощность 60 Вт.

Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления электродвигателями постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия для компьютеров, телекоммуникационное оборудование.

Технические характеристики

СтруктураПолевой, N-канальный МОП (MOSFET), со встроенным диодом
Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS100 В (VGS=0В, ID=250мкА)
Постоянный ток стока ID9.2 А (TC=25°C); 6.5 А (TC=70°C)
Импульсный ток стока IDM37 А
Напряжение затвор-исток VGS±20 В
Рассеиваемая мощность PD60 Вт (TC=25°C)
Снижение мощности от температуры0.40 Вт/°C
Сопротивление сток-исток открытое RDS(on)0.27 Ом макс. (VGS=10В, ID=5.5А)
Пороговое напряжение затвора VGS(th)2.0…4.0 В (VDS=VGS, ID=250мкА)
Крутизна характеристики gfs≥2.7 А/В (VDS=50В, ID=5.5А)
Остаточный ток стока IDSS25 мкА (VDS=100В); 250 мкА (VDS=80В, TJ=150°C)
Ток утечки затвора IGSS100 нА (VGS=20В); -100 нА (VGS=-20В)
Встроенный диод: ток IS / ISM9.2 А / 37 А
Прямое напряжение на диоде VSD1.8 В
Время восстановления диода trr110 нс тип. / 260 нс макс.
Заряд рассасывания Qrr0.53 мкКл тип. / 1.3 мкКл макс.
Энергия одиночного пробоя EAS200 мДж
Диапазон температур TJ / TSTGот -55 до +150 °C
Температура пайки300 °C (менее 10 сек)
ПроизводительАООТ ВЗПП

Техническая документация

Исполнения серии

2П769А · 2П769А9 · КП769Б · КП769В · 2П769В · 2П769В1 · 2П769В2 · 2П769В91 · 2П769В92 · КП769Г · 2П769Г · 2П769Д · 2П769Д1 · 2П769Д2 · 2П769Д91 · 2П769Д92 · 2П769Е · 2П769Е91

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»