Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2П7148А-5 — мощный N-канальный ДМОП-транзистор со встроенным обратным диодом


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2П7148А-5 — мощный полевой транзистор N-канального типа с изолированным затвором, изготовленный по технологии ДМОП (двойная диффузия). В структуру встроен обратный (защитный) диод. Разработка и производство — ОАО «Ангстрем» (Зеленоград, Москва).

Прибор предназначен для использования в аппаратуре специального назначения. Поставляется в бескорпусном исполнении — на общей пластине или разделённым на отдельные кристаллы; параметры нормируются «в условном корпусе».

Особенности: супервысокая плотность упаковки ячеек, обеспечивающая низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rси откр = 0,020 Ом), и возможность параллельного включения нескольких приборов.

Технические характеристики

Структураполевой, N-канальный ДМОП, со встроенным обратным диодом
Постоянный ток стока Iс (Uзи=10 В, Tкорп=25 °C)40 А
Пробивное напряжение сток-исток Uси проб (Uзи=0 В, Iс=10 мкА)30 В (мин.)
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rси откр (Iс=5 А, Uзи=10 В)≤ 0,02 Ом
Напряжение затвор-исток Uзи (макс.)± 20 В
Пороговое напряжение Uзи пор (Iс=1 мА, Uзи=Uси)2…4 В
Ток утечки затвора Iз ут (Uзи=±20 В, Uси=0 В)± 100 нА (макс.)
Рабочая температура−60…+125 °C
Исполнение / корпусбескорпусное (на пластине или в виде кристаллов)
Размер кристалла3,5 × 3,5 мм
Толщина кристалла300 ± 30 мкм
Уровень технологии2,0 мкм
Металлизация обратной стороны пластиныTi - Ni - Ag
ПроизводительОАО «Ангстрем», Зеленоград

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»