Описание и применение
КП769Б — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор производства АООТ «ВЗПП» (Воронежский завод полупроводниковых приборов). Прибор со встроенным обратным диодом, рассчитан на постоянный ток стока до 14 А и максимальное напряжение сток-исток 100 В.
Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением открытого канала (0.16 Ом), малой мощностью управления по затвору и высоким коммутируемым напряжением. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия ЭВМ и телекоммуникационное оборудование.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (со встроенным диодом) |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 14 А |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 10 А |
| Импульсный ток стока IDM | 56 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 100 В |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 88 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0.59 Вт/°C |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | 0.16 Ом (VGS=10 В) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2.0…4.0 В |
| Крутизна характеристики gfs | ≥5.1 А/В |
| Остаточный ток стока IDSS | 25 мкА (VDS=100 В) |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА (VGS=±20 В) |
| Энергия пробоя одиночным импульсом EAS | 69 мДж |
| Ток лавинного пробоя IAR | 14 А |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 5.5 В/нс |
| Прямое напряжение встроенного диода VSD | 2.5 В |
| Время восстановления диода trr | 150…280 нс |
| Заряд рассасывания Qrr | 0.85…1.7 мкКл |
| Диапазон температур перехода/хранения | от −55 до +150 °C |
| Температура пайки (<10 с) | 300 °C |
| Производитель / ТУ | АООТ «ВЗПП» (Воронеж) |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП769А
