Описание и применение
КП767Д — кремниевый мощный полевой транзистор с изолированным затвором и N-каналом (N-канальный МОП-транзистор) производства АООТ «ВЗПП». Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии, малой мощностью управления и высоким коммутируемым напряжением. Рабочая температура кристалла до 150 °C.
Предназначен для работы в качестве ключевого и усилительного элемента: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые и звуковые усилители.
Также применяется в периферийных устройствах компьютеров, телекоммуникационном оборудовании и технике военного и космического назначения.
Технические характеристики
| Структура | N-канальный МОП полевой транзистор (обогащённый) |
| Пробивное напряжение сток-исток V(BR)DSS (Uзи=0, Iс=10 мА) | 250 В |
| Макс. допустимое напряжение сток-исток Uси | 250 В (при tкорп −55…+25 °C) |
| Макс. допустимое напряжение затвор-исток Uзи | ±20 В |
| Макс. постоянный ток стока ID | 8,1 А (при tкорп −55…+25 °C); 5,1 А (при +100 °C) |
| Макс. импульсный ток стока IDM | 32 А |
| Макс. рассеиваемая мощность PD | 74 Вт (при tкорп −55…+25 °C) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on) (Uзи=10 В, Iс=5,1 А) | 0,45 Ом |
| Крутизна характеристики gfs (Uси=50 В, Iс=5,1 А) | ≥1,6 См |
| Пороговое напряжение VGS(th) (Uзи=Uси, Iс=250 мкА) | 2,0…4,0 В |
| Остаточный ток стока IDSS (Uзи=0, Uси=250 В) | ≤25 мкА (при 25 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS (Uзи=±20 В) | ≤100 нА |
| Прямое напряжение диода VSD (Uзи=0, Iи=8,1 А) | ≤2,0 В |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rθjc | 1,7 °C/Вт |
| Макс. температура перехода Tj | 150 °C |
Техническая документация
Исполнения серии
КП767А · 2П767А · 2П767А9 · КП767Б · КП767В · 2П767В · 2П767В2 · 2П767В91 · 2П767В92 · КП767Г · 2П767Е · 2П767Ж · 2П767Ж2 · 2П767Ж91 · 2П767Ж92
