Описание и применение
КП770Д — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор со встроенным обратным диодом, производства АООТ «ВЗПП». Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, малой мощностью управления и высоким коммутируемым напряжением (до 500 В).
Рабочая температура кристалла до 150 °C. Прибор рассчитан на постоянный ток стока 4,5 А (при Tc = 25 °C) и рассеиваемую мощность 74 Вт.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия ПК и телекоммуникационное оборудование.
Технические характеристики
| Структура | N-канальный МОП (MOSFET), со встроенным диодом |
| Постоянный ток стока I_D (Tc=25 °C) | 4,5 А |
| Постоянный ток стока I_D (Tc=70 °C) | 2,9 А |
| Импульсный ток стока I_DM | 18 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 500 В (мин.) |
| Напряжение затвор-исток V_GS | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность P_D (Tc=25 °C) | 74 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0,59 Вт/°C |
| Сопротивление сток-исток R_DS(on) | 1,5 Ом (макс., V_GS=10 В, I_D=2,7 А) |
| Пороговое напряжение V_GS(th) | 2,0…4,0 В |
| Крутизна характеристики g_fs | 2,5 А/В (мин., V_DS=50 В, I_D=2,7 А) |
| Остаточный ток стока I_DSS | 250 мкА (макс.) |
| Ток утечки затвора I_GSS (прям./обр.) | 100 нА / −100 нА (макс.) |
| Энергия пробоя одиночным импульсом E_AS | 280 мДж |
| Ток лавинного пробоя I_AR | 4,5 А |
| Прямое напряжение диода V_SD | 1,6 В (макс.) |
| Время восстановления диода t_rr | 320 нс (тип.), 640 нс (макс.) |
| Заряд рассасывания Q_rr | 1,0 мкКл (тип.), 2,0 мкКл (макс.) |
| Диапазон температур перехода/хранения | −55…+150 °C |
| Температура пайки (менее 10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Исполнения серии
КП770А · КП770К · 2П770К1 · 2П770К2 · 2П770К92 · 2П770П1 · 2П770П2 · 2П770П92
