Описание и применение
КП813А1 — мощный полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (МОП) и N-каналом, производства АООТ «ВЗПП» (Воронежский завод полупроводниковых приборов). Прибор рассчитан на высокое коммутируемое напряжение (максимальное напряжение сток-исток 200 В) и большой ток стока (до 22 А постоянного, до 88 А импульсного).
Транзистор отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) до 0,12 Ом) и малой мощностью управления. Рабочая температура кристалла — до 150 °C. В структуру встроен обратный (антипараллельный) диод.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия компьютеров, телекоммуникационное оборудование, а также техника военного и космического назначения.
Технические характеристики
| Структура | полевой, МОП с N-каналом (со встроенным диодом) |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 22 А |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 15 А |
| Импульсный ток стока IDM | 88 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 200 В (VGS=0, ID=250 мкА) |
| Напряжение затвор-исток VGS (макс.) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 125 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0,2 Вт/°C |
| Сопротивление сток-исток RDS(on) | ≤0,12 Ом (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,1…4,0 В |
| Крутизна характеристики gfs | ≥5,5 А/В (VDS=20 В, ID=10 А) |
| Остаточный ток стока IDSS | ≤250 мкА (25 °C); ≤1000 мкА (125 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS | +100 нА / −100 нА (VGS=±20 В) |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 5,5 В/нс |
| Прямое напряжение на встроенном диоде VSD | ≤2,5 В (IS=22 А) |
| Ток истока через диод IS / ISM | 22 А / 88 А |
| Диапазон температур перехода/хранения TJ, TSTG | −60…+150 °C |
| Температура пайки (<10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП813А
