Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


КП770К — N-канальный МОП полевой транзистор (мощный ключевой MOSFET)


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

КП770К — мощный N-канальный МОП полевой транзистор (MOSFET) со встроенным защитным диодом, производства АООТ «ВЗПП». Прибор рассчитан на высокое коммутируемое напряжение (максимальное напряжение сток-исток 500 В) и постоянный ток стока до 8 А при рассеиваемой мощности до 125 Вт.

Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on) до 0.85 Ом), низкой мощностью управления по затвору и высокой рабочей температурой кристалла (до 150 °C).

Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления двигателями постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферия ПК и телекоммуникационное оборудование.

Технические характеристики

СтруктураN-канальный МОП (MOSFET) со встроенным диодом
Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS500 В (VGS=0, ID=250 мкА)
Постоянный ток стока ID8.0 А (при TC=25 °C); 5.1 А (при TC=70 °C)
Импульсный ток стока IDM32 А
Рассеиваемая мощность PD125 Вт (TC=25 °C); снижение 1.0 Вт/°C
Напряжение затвор-исток VGS (макс.)±20 В
Пороговое напряжение VGS(th)2.0…4.0 В
Сопротивление открытого канала RDS(on)до 0.85 Ом (VGS=10 В, ID=4.8 А)
Крутизна характеристики gfsне менее 4.9 А/В (VDS=50 В, ID=4.8 А)
Остаточный ток стока IDSSдо 25 мкА (VDS=500 В); до 250 мкА (VDS=400 В, TJ=125 °C)
Ток утечки затвора IGSSдо 100 нА (прямой, VGS=20 В); до −100 нА (обратный, VGS=−20 В)
Встроенный диод: ток истока IS / ISM8.0 А / 32 А (импульсный)
Прямое напряжение диода VSDдо 2.0 В (IS=8.0 А)
Время восстановления диода trrтип. 460 нс, макс. 970 нс
Заряд рассасывания Qrrтип. 4.2 мкКл, макс. 8.9 мкКл
Энергия одиночного лавинного пробоя EAS510 мДж
Ток лавинного пробоя IAR8.0 А
Скорость нарастания dv/dt3.5 В/нс
Диапазон рабочих температур TJ / TSTGот −55 до +150 °C
Температура пайки300 °C (менее 10 сек)
ПроизводительАООТ «ВЗПП»

Техническая документация

Все исполнения серии: КП770Д

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»