Описание и применение
КП809Б — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным обратным диодом, производства АООТ «ВЗПП». Прибор рассчитан на высокое коммутируемое напряжение (максимальное напряжение сток-исток 500 В) при постоянном токе стока до 9,6 А.
Транзистор отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии и малой мощностью управления по затвору. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые и звуковые усилители, периферия для компьютеров, оборудование телекоммуникаций, а также техника военного и космического назначения.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (MOSFET) со встроенным диодом |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 9,6 А |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 6,0 А |
| Импульсный ток стока IDM | 20 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 500 В |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 1,5 / 3,5 / 5,0 В (мин./тип./макс.) |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 50 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0,29 Вт/°C |
| Сопротивление сток-исток RDS(on) | 0,60 Ом (макс., при VGS=20 В) |
| Крутизна характеристики gfs | 1,5 А/В (мин.) |
| Остаточный ток стока IDSS | до 1000 мкА (при VDS=500 В) |
| Ток утечки затвора IGSS | +100 нА / −100 нА |
| Скорость нарастания dv/dt | 8,0 В/нс |
| Прямое напряжение встроенного диода VSD | 2,5 В (макс.) |
| Диапазон температур перехода/хранения | от −10 до +150 °C |
| Температура пайки (менее 10 с) | 300 °C |
| Производитель | АООТ «ВЗПП» |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП809
