Описание и применение
КП812А1 — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор производства АООТ «ВЗПП». Прибор рассчитан на высокое коммутируемое напряжение (сток-исток до 600 В) и большой ток стока, имеет низкое сопротивление в открытом состоянии и низкую мощность управления по затвору.
Отличается высокими динамическими характеристиками, рабочей температурой кристалла до 150 °C и встроенным обратным диодом. Управляется малой мощностью по затвору, что упрощает драйверную схему.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые и звуковые усилители, периферия для компьютеров и телекоммуникационное оборудование.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (MOSFET), со встроенным диодом |
| Макс. напряжение сток-исток U(BR)DSS | 600 В |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 50 А* |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 36 А |
| Импульсный ток стока IDM | 200 А |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 125 Вт |
| Снижение мощности рассеивания | 1.0 Вт/°C |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Сопротивление сток-исток открытое RDS(on) | 0.028 Ом (VGS=10 В, ID=31 А) |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th) | 2.0…4.0 В |
| Крутизна характеристики gfs | 15 А/В (мин.) |
| Остаточный ток стока IDSS | ≤250 мкА (VDS=48 В, TJ=125 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА (VGS=±20 В) |
| Энергия пробоя одиночным импульсом EAS | 100 мДж |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 4.5 В/нс |
| Встроенный диод: прямое напряжение VSD | 2.5 В |
| Встроенный диод: время восстановления trr | 120…180 нс |
| Встроенный диод: заряд рассасывания Qrr | 0.53…0.80 мкКл |
| Диапазон температур перехода/хранения TJ, TSTG | от −55 до +150 °C |
| Температура пайки (менее 10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП812
