Описание и применение
КП768Д — кремниевый N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор производства АООТ «ВЗПП». Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением в открытом состоянии, малой мощностью управления и высоким коммутируемым напряжением (до 400 В).
Прибор предназначен для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, преобразователях и инверторах для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах индукционного нагрева, ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях, а также в периферии для компьютеров и телекоммуникационном оборудовании.
Транзистор оснащён встроенным обратным (антипараллельным) диодом. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Технические характеристики
| Структура | полевой, N-канальный МОП (MOSFET) со встроенным диодом |
| Макс. напряжение сток-исток U(BR)DSS | 400 В |
| Постоянный ток стока ID (Tc=25 °C) | 5,5 А |
| Постоянный ток стока ID (Tc=70 °C) | 3,5 А |
| Импульсный ток стока IDM | 22 А |
| Рассеиваемая мощность PD (Tc=25 °C) | 74 Вт |
| Снижение мощности с температурой | 0,59 Вт/°C |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Сопротивление сток-исток открытого RDS(on) | 1,0 Ом (макс., VGS=10 В) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,0…4,0 В |
| Крутизна характеристики gfs | 2,9 А/В (мин., ID=3,3 А) |
| Остаточный ток стока IDSS | 250 мкА (макс.) |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА (макс.) |
| Энергия одиночного пробоя EAS | 290 мДж |
| Ток лавинного пробоя IAR | 5,5 А |
| Встроенный диод: время восст. trr | 270 нс (тип.), 530 нс (макс.) |
| Встроенный диод: заряд рассасывания Qrr | 1,8 мкКл (тип.), 2,2 мкКл (макс.) |
| Встроенный диод: прямое напряжение VSD | 1,6 В (макс.) |
| Диапазон рабочих температур TJ, TSTG | от −55 до +150 °C |
| Температура пайки (<10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Исполнения серии
КП768А · 2П768А · 2П768А9 · КП768В · КП768К · 2П768К · 2П768К91 · 2П768К92 · 2П768П · 2П768П91 · 2П768П92
