Описание и применение
КП7174А — мощный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором и индуцированным N-каналом, производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград, Москва). Рассчитан на напряжение сток-исток до 75 В и постоянный ток стока до 21 А.
Отличается низким зарядом затвора, низким сопротивлением открытого канала RDS(on) ≤ 75 мОм и высокой скоростью переключения. Выпускается в корпусах TO-220 и TO-263 (D2Pak).
Область применения: DC-DC преобразователи, низковольтные схемы управления, автомобильная электроника (автоэлектроника).
Технические характеристики
| Структура | Полевой (MOSFET), N-канальный, с изолированным затвором |
| Напряжение сток-исток, VDSS | 75 В (VGS=0, TJ=25 °C) |
| Напряжение пробоя сток-исток, V(BR)DSS | 75 В (мин., ID=250 мкА) |
| Напряжение затвор-исток, VGSS | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2…4 В (VDS=10 В, ID=250 мА) |
| Постоянный ток стока, ID | 21 А (VGS=10 В) |
| Импульсный ток стока, IDM | 110 А (Tимп=10 мкс) |
| Рассеиваемая мощность, PD | 80 Вт |
| Сопротивление открытого канала, RDS(on) | ≤ 75 мОм (VGS=5 В, ID=18 А) |
| Начальный ток стока, IDSS | ≤ 25 мкА (25 °C) / ≤ 250 мкА (150 °C) |
| Ток утечки затвора, IGSS | ±100 нА |
| Входная ёмкость, CISS | 1600 пФ (VDS=25 В, f=1 МГц) |
| Выходная ёмкость, COSS | 660 пФ |
| Проходная ёмкость, CRSS | 110 пФ |
| Время включения td(on) / tr | 15 нс / 170 нс |
| Время выключения td(off) / tf | 30 нс / 60 нс |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус, RthJC | 1,7 К/Вт |
| Прямой ток встроенного диода, IS | 21 А |
| Прямое падение на диоде, VSD | 1,6 В (IF=21 А) |
| Время обратного восстановления диода, trr | 120 нс (тип.) / 180 нс (макс.) |
| Скорость нарастания напряжения, dv/dt | 4,5 В/нс |
| Рабочая температура кристалла, TJ | −55…+150 °C |
| Температура хранения, TSTG | −55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 (масса 2,5 г) / TO-263 D2Pak (масса 2,0 г) |
| Производитель | ЗАО «ЭПЛ», Зеленоград |
Техническая документация
