Описание и применение
КТ8283 — мощный кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный транзистор структуры p-n-p производства ЗАО «ЭПЛ» (Зеленоград). Выпускается в группах А, Б и В, различающихся предельными напряжениями коллектора.
Прибор предназначен для схем управления двигателями, низковольтных DC/DC и DC/AC преобразователей, источников бесперебойного питания и источников лазерной накачки.
Отличительная особенность — комплементарная пара к n-p-n транзистору КТ8282 на токи коллектора 25-60 А с низким напряжением насыщения. Выпускается в пластмассовом корпусе TO-218 и в бескорпусном исполнении (кристалл) для гибридных схем.
Технические характеристики
| Структура | p-n-p, кремниевый, биполярный эпитаксиально-планарный |
| Напряжение коллектор-база Uкбо (А/Б/В) | 80 / 100 / 120 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (А/Б/В) | 80 / 100 / 120 В |
| Напряжение эмиттер-база Uэбо | 5 В |
| Ток коллектора постоянный Iк | 60 А |
| Ток коллектора импульсный Iки | 80 А |
| Ток базы постоянный Iб | 5 А |
| Рассеиваемая мощность коллектора Pк max | 120 Вт |
| Температура перехода Tj | −65…+150 °C |
| Статический коэффициент передачи тока h21Э | ≥100 (Iк=50 А, Uкэ=5 В) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ.нас | ≤2,5 В (Iк=30 А, Iб=50 мА) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ.нас | ≤0,8 В (Iк=30 А, Iб=50 мА) |
| Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо | ≤150 мкА |
| Обратный ток коллектор-база Iкбо | ≤100 мкА |
| Обратный ток эмиттер-база Iэбо | ≤20 мкА |
| Корпус | TO-218 (пластмассовый) + бескорпусное исполнение (кристалл) |
| ТУ | АДКБ.432140.___ ТУ |
Техническая документация
