Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


КТ8286 — мощный кремниевый биполярный NPN эпитаксиально-планарный транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

КТ8286 (ЗАО «ЭПЛ», Зеленоград) — мощный кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n. Выпускается в группах А/А-1, Б/Б-1, В/В-1, отличающихся предельными напряжениями.

Прибор предназначен для усилителей низкой частоты и переключающих устройств, линейных и импульсных промышленных устройств, аудиоусилителей, драйверов и мощных регуляторов напряжения автотракторной электроники.

Отличительная особенность — высокая линейность коэффициента усиления в широком диапазоне токов коллектора при низком напряжении насыщения Uкэ.нас. Аналоги: КТ828, КТ838, КТ872, 2SD1398, 2SC1413, 2SD380.

Технические характеристики

Структураn-p-n (кремниевый, эпитаксиально-планарный)
Напряжение коллектор-база, Uкбо (А/Б/В)1000 / 1200 / 1500 В
Напряжение коллектор-эмиттер, Uкэо (А/Б/В)600 / 700 / 800 В
Напряжение эмиттер-база, Uэбо12 В
Ток коллектора постоянный, Iк5 А
Ток коллектора импульсный, Iки7,5 А
Ток базы постоянный, Iб3 А
Рассеиваемая мощность коллектора, Pк max50 / 90 Вт (пластм. TO-218 / метал. TO-3)
Uкэо граничное (А/Б/В)≥600 / ≥700 / ≥800 В
Обратный ток коллектор-эмиттер, Iкэо≤1 мА
Обратный ток коллектор-база, Iкбо≤1 мА
Обратный ток эмиттер-база, Iэбо≤200 мкА
Напряжение насыщения Uкэ.нас (Iк=4,5А, Iб=2А)≤1,3 В
Напряжение насыщения Uбэ.нас (Iк=4,5А, Uкэ=5В)≤1,5 В
Статический коэффициент передачи тока, h21Э (Iк=4,5А, Iб=2А)8-40
Температура перехода, Tj−65 … +150 °C
КорпусTO-218 (пластм., А,Б,В) / TO-3 (метал., А-1,Б-1,В-1); есть бескорпусное исполнение
ТУАДКБ.432140.171ТУ

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»

КТ8259А — мощный кремниевый NPN биполярный эпитаксиально-планарный быстродействующий переключающий транзистор

КТ8285А — мощный кремниевый биполярный NPN транзистор

КТ847В/ЭЗ — мощный кремниевый NPN биполярный эпитаксиально-планарный транзистор

КТ8283 (А, Б, В) — мощный кремниевый транзистор структуры p-n-p

КТ8260А — мощный кремниевый NPN биполярный эпитаксиально-планарный переключающий транзистор

КТ8282В — мощный биполярный кремниевый транзистор структуры n-p-n

КП7178А — мощный полевой (MOSFET) транзистор с изолированным затвором, N-канальный

КП973А — мощный БСИТ-транзистор (полевой n-канальный со статической индукцией)

КП250 (IRFP250) — мощный N-канальный МОП полевой транзистор

КП971А, Б — кремниевый БСИТ-транзистор (биполярный со статической индукцией), n-типа

КП350 (аналог IRFP350) — мощный N-канальный МОП полевой транзистор

КП810А — кремниевый БСИТ-транзистор (биполярный со статической индукцией, n-канал, силовой ключевой)



© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»