Описание и применение
КП7178А — мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), N-канальный, производства ЗАО «ЭПЛ» (Москва, Зеленоград). Предназначен для работы в силовых ключевых схемах.
Отличается низким подзатворным зарядом, низким сопротивлением открытого канала (Rds(on) ≤ 85 мОм) и высокой скоростью переключения. Максимальное напряжение сток-исток 300 В, постоянный ток стока до 40 А, рассеиваемая мощность 300 Вт.
Область применения: DC-DC преобразователи, источники питания, устройства зарядки аккумуляторов, низковольтные реле, автоэлектроника, устройства управления светом и температурой. Корпус ТО-218 или ТО-3 (КТ-9).
Технические характеристики
| Структура | Полевой (MOSFET), N-канальный, с изолированным затвором |
| Напряжение сток-исток VDSS | 300 В |
| Напряжение затвор-исток VGSS | ±20 В |
| Постоянный ток стока ID | 40 А (при VGS=10 В) |
| Импульсный ток стока IDM | 160 А (Tимп=10 мкс) |
| Рассеиваемая мощность PD | 300 Вт |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | ≤ 85 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS | 300 В (мин.) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,5…4,5 В (VDS=VGS, ID=4 мА) |
| Начальный ток стока IDSS | ≤ 200 мкА (25ºC) / ≤ 1 мА (125ºC), VDS=240 В |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА (VGS=±20 В) |
| Входная ёмкость CISS | 4800 пФ (f=1 МГц) |
| Выходная ёмкость COSS | 745 пФ (f=1 МГц) |
| Проходная ёмкость CRSS | 280 пФ (f=1 МГц) |
| Время включения td(on)/tr | 20/60 нс (тип.) |
| Время выключения td(off)/tf | 75/45 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC | 0,42 К/Вт |
| Прямое падение на встроенном диоде VSD | ≤ 1,5 В |
| Время обратного восстановления диода trr | ≤ 200 нс |
| Рабочая температура кристалла TJ | -55…+150 ºC |
| Корпус | ТО-218 или ТО-3 (КТ-9) |
| Масса | ТО-218: 5,5 г; ТО-3: 20 г |
Техническая документация
