Описание и применение
КП768К (АООТ «ВЗПП») — мощный N-канальный МОП полевой транзистор со встроенным (паразитным) обратным диодом. Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, малой мощностью управления и высоким коммутируемым напряжением (до 400 В).
Предназначен для работы в силовых ключевых и высокочастотных схемах: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители.
Также применяется в периферийных устройствах для компьютеров и телекоммуникационном оборудовании. Рабочая температура кристалла — до +150 °C.
Технические характеристики
| Структура | N-канальный МОП (MOSFET), полевой, со встроенным обратным диодом |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 10 А |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 6,3 А |
| Импульсный ток стока IDM | 40 А |
| Макс. напряжение сток-исток Uси (V(BR)DSS) | 400 В |
| Напряжение затвор-исток Uзи (VGS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 125 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 1,0 Вт/°C |
| Сопротивление сток-исток открытого RDS(on) | 0,55 Ом (макс., при VGS=10 В, ID=6,0 А) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,0…4,0 В |
| Крутизна характеристики gfs | 5,8 А/В (мин., при VDS=50 В, ID=60 А) |
| Остаточный ток стока IDSS | 25 мкА (при 400 В) / 250 мкА (при 320 В, TJ=125 °C) |
| Ток утечки затвора IGSS | ±100 нА (при ±20 В) |
| Встроенный диод: IS / ISM | 10 А / 40 А |
| Прямое напряжение диода VSD | 2,0 В (макс., при IS=10 А) |
| Время восстановления диода trr | тип. 370 нс, макс. 790 нс |
| Заряд рассасывания Qrr | тип. 3,8 мкКл, макс. 8,2 мкКл |
| Энергия пробоя одиночным импульсом EAS | 520 мДж |
| Ток лавинного пробоя IAR | 10 А |
| Скорость нарастания dv/dt (закрытый диод) | 4,0 В/нс |
| Диапазон температур перехода/хранения | от −55 до +150 °C |
| Температура пайки (<10 сек) | 300 °C |
| Изготовитель | АООТ «ВЗПП» (Воронежский завод полупроводниковых приборов) |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП768Д
