Описание и применение
КП809Б1 (АООТ «ВЗПП») — мощный N-канальный МОП (MOSFET) полевой транзистор со встроенным обратным диодом. Отличается высокими динамическими характеристиками, низким сопротивлением сток-исток во включённом состоянии (0,60 Ом) и малой мощностью управления по затвору.
Прибор рассчитан на высокое коммутируемое напряжение — максимальное напряжение сток-исток 500 В при постоянном токе стока до 9,6 А (при T=25 °C) и рассеиваемой мощности до 50 Вт. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые и звуковые генераторы/усилители, периферия компьютеров, телекоммуникационное оборудование, техника военного и космического назначения.
Технические характеристики
| Структура | Полевой, N-канальный МОП (MOSFET), со встроенным обратным диодом |
| Макс. напряжение сток-исток U(BR)DSS | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Постоянный ток стока ID | 9,6 А (TC = 25 °C); 6,0 А (TC = 70 °C) |
| Импульсный ток стока IDM | 20 А |
| Рассеиваемая мощность PD | 50 Вт (TC = 25 °C); снижение 0,29 Вт/°C |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 1,5 / 3,5 / 5,0 В (мин./тип./макс.) |
| Сопротивление сток-исток RDS(on) | ≤ 0,60 Ом (VGS = 20 В, ID = 3,0 А) |
| Крутизна характеристики gfs | ≥ 1,5 А/В (VDS = 20 В, ID = 3,0 А) |
| Остаточный ток стока IDSS | ≤ 1000 мкА (VDS = 500 В, VGS = 0 В) |
| Ток утечки затвора IGSS | прямой ≤ 100 нА (VGS = 20 В); обратный ≤ -100 нА (VGS = -20 В) |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 8,0 В/нс |
| Прямое напряжение на встроенном диоде VSD | ≤ 2,5 В (IS = 9,6 А) |
| Диапазон температур TJ / TSTG | от -10 до +150 °C |
| Температура пайки | 300 °C (менее 10 с) |
| Производитель / ТУ | АООТ «ВЗПП» (Воронежский завод полупроводниковых приборов) |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП809
