Описание и применение
КП813Б — мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (МОП/MOSFET) со встроенным обратным диодом. Рассчитан на напряжение сток-исток до 200 В и постоянный ток стока до 22 А.
Прибор оптимизирован под ключевой режим: низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 0,18 Ом), малая мощность управления и высокие динамические характеристики. Рабочая температура кристалла — до 150 °C.
Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, преобразователи и инверторы для управления электродвигателями постоянного и переменного тока, ВЧ-генераторы индукционного нагрева, ультразвуковые и звуковые устройства, телекоммуникационное оборудование, техника военного и космического назначения.
Технические характеристики
| Структура | Полевой, N-канальный МОП (MOSFET) со встроенным диодом |
| Постоянный ток стока ID (TC=25 °C) | 22 А |
| Постоянный ток стока ID (TC=70 °C) | 15 А |
| Импульсный ток стока IDM | 88 А |
| Макс. напряжение сток-исток V(BR)DSS | 200 В |
| Напряжение затвор-исток VGS | ±20 В |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 2,1…4,0 В |
| Сопротивление сток-исток открытого RDS(on) | 0,18 Ом (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Крутизна характеристики gfs | ≥5,5 А/В |
| Рассеиваемая мощность PD (TC=25 °C) | 125 Вт |
| Снижение мощности от температуры | 0,2 Вт/°C |
| Остаточный ток стока IDSS | 250 мкА (VDS=200 В); до 1000 мкА при TJ=125 °C |
| Ток утечки затвора IGSS | +100 нА / −100 нА (VGS=±20 В) |
| Встроенный диод: ток истока IS / ISM | 22 А / 88 А |
| Прямое напряжение на диоде VSD | 2,5 В |
| dv/dt (закрытый диод) | 5,6 В/нс |
| Диапазон температур TJ / TSTG | −60…+150 °C |
| Температура пайки (менее 10 с) | 300 °C |
Техническая документация
Все исполнения серии: КП813А
