Описание и применение
2Т669А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n-структуры с граничной частотой 200 МГц и рассеиваемой мощностью 0,5 Вт. Префикс «2Т» означает военную приёмку: прибор производился по повышенным требованиям к надёжности и воспроизводимости параметров. По совокупности характеристик — умеренная мощность, высокая рабочая частота, небольшое напряжение (до 50 В) — транзистор относится к классу маломощных широкополосных ВЧ-усилительных приборов, пригодных также для быстродействующих ключевых схем.
Граничная частота 200 МГц при ёмкости коллекторного перехода 15 пФ делает 2Т669А пригодным для усиления сигналов в диапазонах ОВЧ и нижней части УВЧ. Время рассасывания носителей tрас = 100 нс при насыщении коллекторного тока (Uкэ нас = 1 В) указывает на применимость в импульсных схемах со скоростями переключения порядка единиц-десятков мегагерц. Прибор выпускался в двух вариантах: 2Т669А рассчитан на токи коллектора до 400 мА (насыщение — до 800 мА) с h21э в диапазоне 50-160, тогда как 2Т669А1 ориентирован на меньший рабочий ток (70 мА, насыщение — до 600 мА) и имеет более широкий разброс h21э (40-180) — оба при одинаковом напряжении и мощности рассеяния. Такое деление на варианты типично для советской практики: разные подгруппы позволяли конструктору подобрать прибор под конкретный режим без лишнего запаса по току.
Область применения охватывает широкополосные усилители промежуточной и высокой частоты, входные каскады приёмной аппаратуры, формирователи импульсов и быстродействующие ключи в измерительной технике и аппаратуре связи. Сочетание 50-вольтового пробивного напряжения и граничной частоты 200 МГц делало транзистор подходящим для каскадов гетеродина, смесителей и усилителей мощности маломощных передающих трактов в аппаратуре специального назначения, где военная приёмка (2Т) давала гарантию стабильности параметров в расширенном диапазоне температур и при механических воздействиях.
Прямых зарубежных аналогов, совпадающих по всей совокупности параметров, в открытых источниках не зафиксировано. Нередко упоминаемые в качестве ориентиров приборы 2N2857 и BFW92 относятся к принципиально иному классу по напряжению (Uкэ ≈ 15 В) и току коллектора (25-40 мА) и не являются функциональными аналогами 2Т669А. По частотному диапазону и структуре (n-p-n, ВЧ) 2Т669А ближе к советским гражданским приборам серии КТ368/КТ355, однако точное соответствие требует проверки по конкретной схеме применения, особенно с учётом ёмкостей переходов и режимов насыщения.
2Т669А — биполярный транзистор. Варианты: 2Т669А, 2Т669А1. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | 2Т669А | 2Т669А1 |
|---|
| h21э: B1-B2 / Iк | 50-160/200 | 40-180/70 |
| fгр, МГц | 200 | 200 |
| Cк / Uк, пФ/В | 15/10 | 15/10 |
| Cэ / Uэб, пФ/В | 50/0 | 40/0 |
| tрас, нс | 100 | 100 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 1(400/80) | 1( 70/15) |
| Uкб max, В | 50 | 50 |
| Uкэ / R | 50/ | 50/ |
| Uэб max, В | 4 | 4 |
| Iк max / Iк нас | 0.4/0.8 | 0.3/0.6 |
| Pк / Pт, Вт | 0.5/ | 0.5/ |
| Rт п-к, °C/Вт | 200 | 200 |