Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2Т670АС — биполярный транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2Т670АС — кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n, относящийся к классу маломощных высокочастотных приборов. Приставка «2Т» в маркировке указывает на военную приёмку (литера «С» — специальный отбор по параметрам), что отличает его от гражданского аналога КТ670АС: идентичный кристалл, но с гарантированным соответствием нормам ОСТ на всём диапазоне рабочих температур и повышенной надёжностью для ответственной аппаратуры.

Граничная частота коэффициента передачи тока 200 МГц при рассеиваемой мощности коллектора 0,8 Вт помещает транзистор в нишу высокочастотных усилителей и быстрых ключей. Ёмкость коллекторного перехода 15 пФ и время рассасывания носителей 100 нс — показатели, важные для переключательных схем на частотах десятков мегагерц. Широкий разброс статического коэффициента передачи тока (h21э от 40 до 200 при токе 200 мА) характерен для высокочастотных структур: отбор по группам усиления позволял конструктору выбирать экземпляр под конкретное применение. Пониженное допустимое напряжение эмиттер-база (4 В) типично для тонкобазовых высокочастотных транзисторов — его надо учитывать при проектировании цепей смещения.

Прибор находил применение в предварительных усилителях высокой и промежуточной частоты, широкополосных видеоусилителях, генераторах и формирователях импульсов в профессиональной и военной электронике — там, где гражданские КТ-серии не проходили по надёжностным нормам. Ток коллектора до 0,4 А (кратковременно до 0,8 А в режиме насыщения) и напряжение коллектор-база 50 В обеспечивали достаточный запас для работы в выходных каскадах маломощных передатчиков, драйверах силовых ключей и импульсных источниках питания малой мощности.

По совокупности параметров 2Т670АС близок к зарубежным транзисторам семейства 2N2222 / 2N2219 (2N2222 — в металлическом корпусе TO-18, 2N2219 — в TO-39) и BC107/BC108 (в металлическом корпусе TO-18): схожие граничные частоты, диапазон токов и напряжений. Непосредственная замена требует сверки по конкретному применению из-за различий в ёмкостях переходов и цоколёвке.

2Т670АС — биполярный транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Электрические параметры

Параметр2Т670АС
h21э: B1-B2 / Iк40-200/200
fгр, МГц200
Cк / Uк, пФ/В15/10
Cэ / Uэб, пФ/В50/0
tрас, нс100
Uкэ нас / (Iк/Iб)1(400/80)
Uкб max, В50
Uкэ / R50/0
Uэб max, В4
Iк max / Iк нас0.4/0.8
Pк / Pт, Вт0.8/

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»