Описание и применение
2Т670АС — кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n, относящийся к классу маломощных высокочастотных приборов. Приставка «2Т» в маркировке указывает на военную приёмку (литера «С» — специальный отбор по параметрам), что отличает его от гражданского аналога КТ670АС: идентичный кристалл, но с гарантированным соответствием нормам ОСТ на всём диапазоне рабочих температур и повышенной надёжностью для ответственной аппаратуры.
Граничная частота коэффициента передачи тока 200 МГц при рассеиваемой мощности коллектора 0,8 Вт помещает транзистор в нишу высокочастотных усилителей и быстрых ключей. Ёмкость коллекторного перехода 15 пФ и время рассасывания носителей 100 нс — показатели, важные для переключательных схем на частотах десятков мегагерц. Широкий разброс статического коэффициента передачи тока (h21э от 40 до 200 при токе 200 мА) характерен для высокочастотных структур: отбор по группам усиления позволял конструктору выбирать экземпляр под конкретное применение. Пониженное допустимое напряжение эмиттер-база (4 В) типично для тонкобазовых высокочастотных транзисторов — его надо учитывать при проектировании цепей смещения.
Прибор находил применение в предварительных усилителях высокой и промежуточной частоты, широкополосных видеоусилителях, генераторах и формирователях импульсов в профессиональной и военной электронике — там, где гражданские КТ-серии не проходили по надёжностным нормам. Ток коллектора до 0,4 А (кратковременно до 0,8 А в режиме насыщения) и напряжение коллектор-база 50 В обеспечивали достаточный запас для работы в выходных каскадах маломощных передатчиков, драйверах силовых ключей и импульсных источниках питания малой мощности.
По совокупности параметров 2Т670АС близок к зарубежным транзисторам семейства 2N2222 / 2N2219 (2N2222 — в металлическом корпусе TO-18, 2N2219 — в TO-39) и BC107/BC108 (в металлическом корпусе TO-18): схожие граничные частоты, диапазон токов и напряжений. Непосредственная замена требует сверки по конкретному применению из-за различий в ёмкостях переходов и цоколёвке.
2Т670АС — биполярный транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | 2Т670АС |
|---|
| h21э: B1-B2 / Iк | 40-200/200 |
| fгр, МГц | 200 |
| Cк / Uк, пФ/В | 15/10 |
| Cэ / Uэб, пФ/В | 50/0 |
| tрас, нс | 100 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 1(400/80) |
| Uкб max, В | 50 |
| Uкэ / R | 50/0 |
| Uэб max, В | 4 |
| Iк max / Iк нас | 0.4/0.8 |
| Pк / Pт, Вт | 0.8/ |