Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2Т649А2 — биполярный транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2Т649А2 — кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор СВЧ-диапазона в бескорпусном исполнении (голый кристалл без корпуса). Приставка «2Т» в маркировке сразу указывает на принадлежность к специальным компонентам — в отличие от массовых «КТ»-аналогов, этот прибор разрабатывался под задачи оборонной и авиакосмической электроники с жёсткими требованиями к надёжности и температурному диапазону (−60…+125 °C). Характер бескорпусного исполнения однозначно говорит об одном предназначении: монтаж внутри гибридных интегральных схем (ГИС), где кристалл припаивается или приваривается непосредственно на подложку модуля.

По электрическому характеру это СВЧ-генераторный транзистор средней мощности. Граничная частота порядка 1300 МГц и способность отдавать около 500 мВт на частоте 3 ГГц помещают его в нишу дециметрового и нижнего сантиметрового диапазона. Произведение базового сопротивления на ёмкость коллектора (Rб·Cк = 3 пс) — ключевой параметр быстродействия, и столь малая величина свидетельствует о тщательной эпитаксиально-планарной технологии, минимизирующей паразитные реактивности. Максимальное коллекторное напряжение 30 В при токе до 200 мА даёт достаточное рабочее пространство для маломощных генераторных и усилительных каскадов в составе СВЧ-блоков.

Типовые области применения охватывают усилители мощности СВЧ-сигнала, гетеродины и синтезаторы частоты, смесители и преобразователи частоты в составе радиолокационной аппаратуры, систем связи и бортовой электроники. Бескорпусное исполнение было стандартом для советской микроэлектроники спецназначения: ГИС-модуль с такими кристаллами компактнее, легче и термически эффективнее, чем плата на корпусных транзисторах, — критично для авиации и космоса. Работа в широком температурном диапазоне подтверждает военную/авиационную квалификацию.

Прямых массовых зарубежных аналогов у бескорпусных советских СВЧ-транзисторов спецназначения, как правило, нет в открытом каталоге — западные эквиваленты подбираются по совокупности параметров (граничная частота, мощность, Rб·Cк) среди таких компонентов, как BFR96 или изделия серий Motorola/ON Semiconductor MRF. По характеру применения и уровню параметров ближайшие отечественные ориентиры — транзисторы серий 2Т648, 2Т650 и других СВЧ-семейств специсполнения того же класса мощности.

2Т649А2 — биполярный транзистор структуры n-p-n. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2Т649А2

Электрические параметры

Параметр2Т649А2
Структураn-p-n
Rб·Cк, пс3
Uкб max, В30
Uэб max, В2.5
Iк max / Iк нас0.2/0.3
Iб max, А0.1
Pк / Pт, Вт/1.5

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»