2Т687 — это не одиночный транзистор, а транзисторная сборка, содержащая два кремниевых эпитаксиально-планарных кристалла структуры p-n-p в едином керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами. Именно это отражает суффикс «С2» в обозначении вариантов: 2Т687АС2 и 2Т687БС2 — два кристалла в одном корпусе-кристаллодержателе. Бескорпусное исполнение (чип без литого пластика или металлического кожуха) типично для компонентов, предназначенных под гибридные интегральные схемы и специальную аппаратуру: такой подход минимизирует паразитные ёмкости и индуктивности, что критично на высоких частотах.
Граничная частота 450 МГц сразу говорит о классе прибора — это высокочастотный транзистор. При рассеиваемой мощности 1,5 Вт и импульсном токе коллектора до 3,5-4,5 А сборка занимает промежуточное место между маломощными ВЧ-ключами и полноценными силовыми транзисторами средней мощности. Допустимое напряжение коллектор-база 60-70 В (в зависимости от варианта) даёт запас для работы от источников питания, типичных для аппаратурных преобразователей. Ёмкость коллектора 20 пФ при напряжении 30 В — вполне умеренная для ВЧ-схем, что вместе с граничной частотой делает 2Т687 пригодным как для усилительных, так и для ключевых режимов на частотах вплоть до дециметрового диапазона.
Основное назначение, заявленное в технических условиях, — импульсные и линейные усилители, а также преобразователи сигналов. Наличие двух одинаковых кристаллов в одном корпусе естественно располагает к дифференциальным каскадам, схемам Дарлингтона или двухтактным ключам с минимальным разбросом параметров между плечами. Приставка «2Т» в советской системе обозначений указывала на военную или специальную приёмку и подразумевала отбор по расширенному диапазону температур и повышенным требованиям к стабильности. Подобные компоненты находили применение в аппаратуре связи, измерительных приборах, бортовой и авиационной электронике — там, где важны надёжность и стабильность характеристик, а не минимальная цена.
Варианты А и Б различаются в первую очередь допустимым напряжением коллектор-эмиттер (60 В против 50 В) и насыщением: у 2Т687БС2 напряжение насыщения ниже (0,8 В против 1,0 В), что делает его предпочтительным в ключевых схемах с жёсткими требованиями по потерям в открытом состоянии. Прямых западных аналогов с идентичной конструкцией (двойная сборка, бескорпусное исполнение, те же предельные режимы) в открытых источниках не фигурирует — компонент создавался под конкретные требования советской элементной базы для гибридных схем.
2Т687 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т687АС2, 2Т687БС2. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
