2Т672А2 — биполярный транзистор

Описание и применение

2Т672А2 — кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры n-p-n, созданный для специализированных применений в импульсном режиме. Принципиальная особенность прибора — бескорпусное исполнение: транзистор поставляется в виде кристалла (chip) и предназначен исключительно для монтажа в составе гибридных интегральных схем и микросборок, а не для пайки в обычную плату. Именно поэтому его обозначение начинается с цифры «2» (военно-промышленный ряд, повышенная надёжность), а технические условия аАО.339.592 ТУ ориентированы на специальную аппаратуру.

По совокупности параметров прибор относится к классу высокочастотных импульсных транзисторов средней мощности. Граничная частота 200 МГц позволяет работать на высоких частотах, время рассасывания 100 нс определяет скоростные возможности в ключевых схемах, а напряжение насыщения 0,6 В при токе коллектора 500 мА — умеренная величина для силового ключа. Рассеиваемая мощность 1 Вт и максимальный ток коллектора 1 А при допустимом напряжении коллектор-база 50 В ставят его в ряд транзисторов, способных коммутировать реальные нагрузки, а не работать только с сигналами малого уровня. Коэффициент передачи тока h21э в диапазоне 30-120 и ёмкость коллектора 12 пФ вписываются в типичный облик ВЧ-ключевого кристалла советской разработки.

Область применения — специальная и военная электроника: бортовая аппаратура, системы управления, измерительные приборы и блоки, где требовался надёжный высокочастотный ключевой элемент в миниатюрном кристальном исполнении. Бескорпусные транзисторы серии 2Т672 припаивались или приклеивались на подложку гибридной микросхемы вместе с плёночными резисторами и конденсаторами — стандартная практика советской гибридной микроэлектроники 1970-1980-х годов. Рабочий диапазон температур от −60 до +125 °C подтверждает ориентацию на условия эксплуатации военного класса.

Прямых массовых зарубежных аналогов у бескорпусных кристаллов такого рода немного — западная промышленность выпускала схожие по параметрам кристаллы под собственными внутренними обозначениями для конкретных гибридных сборок. По электрическим характеристикам 2Т672А2 близок к ряду высокочастотных n-p-n транзисторов с граничной частотой 200-500 МГц и мощностью около 1 Вт — таким как 2N3866 (корпусной RF-усилитель, ft ≈ 500 МГц, 5 Вт) или их кристальные аналоги, применявшиеся в западной гибридной электронике. В советской номенклатуре прибор занимает нишу между массовыми корпусными КТ-транзисторами и узкоспециализированными СВЧ-кристаллами: достаточно быстрый для ВЧ-ключей и импульсных преобразователей, при этом вполне доступный по параметрам насыщения.

2Т672А2 — биполярный транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Электрические параметры

Исполнения серии

2Т672А-2