Описание и применение
2Т679 — высокочастотный биполярный транзистор структуры n-p-n малой мощности советского производства. Граничная частота коэффициента передачи тока 300 МГц при допустимой мощности рассеивания на коллекторе 1 Вт и максимальном токе коллектора 500 мА позволяют отнести его к классу широкополосных ВЧ-транзисторов малой мощности — не столь мощных, как СВЧ-гиганты типа 2Т939, но заметно превосходящих чисто маломощные «радиочастотные» приборы вроде ранних серий КТ315/КТ316 по нагрузочной способности. Суффикс А2 / Б2 в обозначениях модификаций указывает на бескорпусное исполнение (исполнение 2 по советской классификации): кристалл без корпуса, предназначенный для монтажа непосредственно на подложку гибридной интегральной схемы (ГИС).
Именно бескорпусная форма — ключевой «паспортный» признак 2Т679. В советской радиоэлектронике бескорпусные транзисторы серии 2Т выпускались специально для гибридных микросборок: кристалл методом термокомпрессии или пайки мягкими припоями присоединялся непосредственно к металлизированной подложке, что резко снижало паразитные индуктивности и ёмкости выводов и позволяло реализовать полосу значительно шире, чем с корпусным аналогом той же структуры. Тайминг рассасывания 60 нс и напряжение насыщения 0,8 В при соотношении токов 10:1 делают прибор пригодным не только для усилительных, но и для ключевых применений в импульсных схемах с тактовой частотой в единицы-десятки МГц.
Область применения 2Т679 — усилительные и преобразовательные каскады ВЧ-тракта в специальной и профессиональной радиоаппаратуре: бортовая и наземная радиосвязная аппаратура, радиолокационные и измерительные системы, широкополосные усилители промежуточной частоты. Модификации различаются допустимым напряжением коллектор-база: 2Т679А2 рассчитан на 50 В, 2Т679Б2 — на 25 В; в остальном приборы идентичны. Наличие двух версий по напряжению — типичный советский приём селекции кристаллов одного техпроцесса по пробивному напряжению: более жёсткие требования к режиму питания позволяли шире применять 679Б2 там, где напряжение питания невелико, без переплаты за «пробивную» маржу 679А2.
Прямых западных аналогов с идентичным корпусным исполнением не существует — бескорпусные кристаллы в то время были нишевым продуктом у всех производителей. По электрическим параметрам 2Т679 наиболее близок к корпусным ВЧ-транзисторам 2N3866 и ряду других зарубежных n-p-n структур с граничной частотой 200-500 МГц, широко применявшихся в аппаратуре связи 1970-1980-х годов. В советской компонентной базе ближайшие «родственники» по назначению и эпохе — транзисторы серий 2Т630, 2Т640, 2Т650 в аналогичных бескорпусных исполнениях для ГИС.
2Т679 — биполярный транзистор. Варианты: 2Т679А2, 2Т679Б2. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
Электрические параметры
| Параметр | 2Т679А2 | 2Т679Б2 |
|---|
| h21э: B1-B2 / Iк | 20-80/500 | 20-80/500 |
| fгр, МГц | 300 | 300 |
| Cк / Uк, пФ/В | 30/10 | 30/10 |
| tрас, нс | 60 | 60 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 0.8(500/50) | 0.8(500/50) |
| Uкб max, В | 50 | 25 |
| Uкэ / R | 50/ | 25/ |
| Uэб max, В | 3 | 3 |
| Iк max / Iк нас | 0.5/1 | 0.5/1 |
| Pк / Pт, Вт | 1 | 1 |
Исполнения серии
2Т679А-2