Описание и применение
BF620 — маломощный высоковольтный NPN кремниевый транзистор средней мощности производства «Планета» (PLANETA JSC, Великий Новгород). Предназначен для применения в выходных каскадах драйверов ЭЛТ (CRT), в телефонии, профессиональной и промышленной аппаратуре.
Отличается высоким напряжением пробоя (до 300 В по цепям коллектор-база и коллектор-эмиттер) и хорошими характеристиками на высоких напряжениях. Комплементарная пара — BF621.
Выпускается в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа SOT89 (маркировка корпуса — KT-47). Обозначения по документу: BF620 (лента/катушка — BF620-T1).
Технические характеристики
| Структура | n-p-n, кремниевый |
| Макс. напряжение коллектор-база V_CBO | 300 В |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер V_CEO | 300 В |
| Макс. напряжение эмиттер-база V_EBO | 5 В |
| Макс. ток коллектора I_C | 50 мА |
| Пиковый ток коллектора I_CM | 100 мА |
| Рассеиваемая мощность (T_amb, P_tot) | 1,6 Вт |
| Напряжение пробоя V_(BR)CBO (I_C=10 мкА) | 300 В (мин.) |
| Напряжение пробоя V_(BR)CEO (I_C=1 мА) | 300 В (мин.) |
| Напряжение пробоя V_(BR)EBO (I_E=100 мкА) | 5 В (мин.) |
| Коэф. усиления по току h_FE (h21э) (I_C=25 мА, V_CE=20 В) | 50 (мин.) |
| Граничная частота / f_T (I_C=10 мА, V_CE=10 В) | 60 МГц (мин.) |
| Напряжение насыщения к-э V_CE(sat) (I_C=30 мА, I_B=5 мА) | 0,6 В (макс.) |
| Напряжение насыщения б-э V_BE(sat) (I_C=20 мА, I_B=2 мА) | 0,9 В (макс.) |
| Ёмкость коллектор-база C_OB (V_CB=30 В, f=1 МГц) | 1,6 пФ (макс.) |
| Ток утечки коллектор-база I_CBO (V_CB=200 В) | 10 нА (макс.) |
| Ток утечки эмиттер-база I_EBO (V_EB=5 В) | 50 нА (макс.) |
| Корпус | SOT89 / пластиковый KT-47 |
| Диапазон рабочих температур перехода T_j | −65 … +150 °C |
| Диапазон температур хранения T_stg | −65 … +150 °C |
| Комплементарная пара | BF621 |
Техническая документация
