Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2ПС104Г — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2ПС104Г — кремниевая сборка из двух согласованных эпитаксиально-планарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и каналом n-типа. Буква «2» в обозначении указывает именно на двойное исполнение: оба транзистора размещены в одном металлостеклянном корпусе и изготовлены в едином технологическом цикле, что обеспечивает высокую идентичность параметров и близкий температурный дрейф. Суффикс «Г» определяет градацию по напряжению отсечки — у этой модификации оно укладывается в диапазон 1,0-3,0 В при фиксированном напряжении стока.

Главное назначение прибора — входные каскады малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Именно здесь раскрывается смысл сдвоенного исполнения: согласованная пара на одном кристалле компенсирует температурный дрейф нулевого уровня и подавляет синфазные помехи значительно эффективнее, чем два раздельных транзистора даже из одной партии. Полевой транзистор с p-n переходом обладает пренебрежимо малым входным током затвора (единицы-десятки нА) и низким уровнем фликкер-шума в звуковом диапазоне — характеристики, недостижимые для биполярных приборов на тех же частотах. Рассеиваемая мощность 45 мВт и рабочие напряжения до 25-30 В соответствуют классу маломощных прецизионных аналоговых цепей, а небольшая входная ёмкость (4,5 пФ) не ограничивает быстродействие на звуковых и инфразвуковых частотах.

Приборы серии КПС104/2ПС104 находили применение в прецизионной измерительной и научной аппаратуре, высококачественных усилителях воспроизведения для магнитофонов, медицинской электронике, а также в промышленных датчиковых цепях, где критичны низкий шум и высокое входное сопротивление. Гарантийная наработка порядка 50 000 часов указывает на ориентацию в том числе на ответственную аппаратуру длительного применения. Западными аналогами модификации «Г» служат 2N4084 и 2N4085 (Siliconix) — также сдвоенные согласованные JFET с n-каналом, разработанные для тех же дифференциальных схем; японский аналог — UPA68HAK.

2ПС104Г — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2ПС104Г

Электрические параметры

Параметр2ПС104Г
Крутизна S1-S2 / I(U)1.0-/(10)
Iнач I01-I02 / U1.1-3.0/10
Cвх, пФ4.5
Cпр, пФ1.5
Uзи отс / Iс(1.0-3.0)
Uзс max, В30
Uзи max, В30
Uси max, В25
Pрас45
Проводимость / каналP-N/N

Все исполнения серии: 2ПС104А

Паспортные параметры 2ПС104Г

Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА1,1…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,8…3
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В1
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В1
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,5
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ1
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ50
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ70
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C100
Масса транзистора, не более, г2

Чем 2ПС104Г отличается от других исполнений

ПараметрАБВГДЕ
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,80,1…0,80,35…1,51,1…31,1…30,35…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…10,2…10,4…20,8…30,8…30,4…2
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,360,360,65110,65
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,350,350,65110,65
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,260,260,30,50,50,3
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ0,41515—
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ10105050—20
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ606070707060
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C5015015010015020

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
  • Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»