Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2ПС104Б — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

```html

2ПС104Б — советская транзисторная сборка, содержащая два кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых транзистора с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа, объединённых в одном металлостеклянном корпусе. Именно парность — главная конструктивная идея прибора: оба транзистора изготовлены на одной кристаллической подложке, благодаря чему их параметры (начальный ток стока, напряжение отсечки, крутизна) максимально близки и одинаково дрейфуют с температурой.

Прибор относится к классу маломощных низкочастотных усилительных полевых транзисторов. Рассеиваемая мощность не превышает 45 мВт, максимальные напряжения сток-исток и затвор-сток — 25 и 30 В соответственно. Малая входная ёмкость (4,5 пФ) и ещё меньшая проходная (1,5 пФ) обеспечивают хорошую развязку между входом и выходом. Крутизна характеристики (от 0,35 мА/В) невысока — прибор не претендует на широкополосные или мощные применения, его сила в другом: очень высокое входное сопротивление затвора (p-n переход в обратном смещении) и минимальный входной ток.

Назначение 2ПС104Б — входные каскады малошумящих дифференциальных и операционных усилителей постоянного тока и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Симметричность двух транзисторов в одном корпусе напрямую определяет качество дифференциального усилителя: чем лучше подбор, тем ниже напряжение смещения и выше коэффициент ослабления синфазного сигнала (КОСС). Прибор применялся в измерительной аппаратуре, прецизионных усилителях для датчиков, электрометрических схемах, а также в аналоговых вычислительных устройствах советской разработки, где требовалась высокая симметрия дифференциальной пары.

Зарубежные функциональные аналоги по типу применения — 2N4082-2N4085 (серия сдвоенных n-канальных JFET американского производства), а также транзисторные сборки серии IFN421-IFN426. Буква «Б» в обозначении указывает на более узкий разброс параметров по сравнению с базовым вариантом «А» — в частности, напряжение отсечки у 2ПС104Б укладывается в диапазон 0,2-1,0 В, что облегчает подбор рабочей точки в симметричных схемах. Гражданский аналог без литеры «2П» в обозначении — сборка КПС104, отличающаяся менее жёсткими нормами приёмки.

2ПС104Б — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

```

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2ПС104Б

Электрические параметры

Параметр2ПС104Б
Крутизна S1-S2 / I(U)0.35-/(10)
Iнач I01-I02 / U0.1-0.8/10
Cвх, пФ4.5
Cпр, пФ1.5
Uзи отс / Iс(0.2-1.0)
Uзс max, В30
Uзи max, В30
Uси max, В25
Pрас45
Проводимость / каналP-N/N

Все исполнения серии: 2ПС104А

Паспортные параметры 2ПС104Б

Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,8
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…1
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,36
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,35
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,26
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ1
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ10
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ60
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C150
Масса транзистора, не более, г2

Чем 2ПС104Б отличается от других исполнений

ПараметрАБВГДЕ
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,80,1…0,80,35…1,51,1…31,1…30,35…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…10,2…10,4…20,8…30,8…30,4…2
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,360,360,65110,65
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,350,350,65110,65
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,260,260,30,50,50,3
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ0,41515
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ1010505020
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ606070707060
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C5015015010015020

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
  • Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»