Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2ПС104Д — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

```html

2ПС104Д — это не одиночный транзистор, а транзисторная сборка: в одном металлостеклянном корпусе с гибкими выводами размещены два кремниевых эпитаксиально-планарных JFET с n-каналом, изготовленных по ионно-легированной технологии. Оба транзистора вырощены на одной пластине и подобраны по параметрам, что принципиально важно для основного назначения прибора. Серия 2ПС104 имеет несколько вариантов (А, Г, Д, Е), отличающихся диапазонами начального тока стока и напряжения отсечки — 2ПС104Д занимает среднюю нишу по этим параметрам.

Прибор создавался специально для входных каскадов дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Именно здесь монолитная сборка двух согласованных JFET незаменима: тепловой дрейф обоих транзисторов практически идентичен (они в одном корпусе при одной температуре), а разброс характеристик сведён к минимуму уже на этапе изготовления. Малые ёмкости — входная до 4,5 пФ и проходная до 1,5 пФ — делают прибор пригодным для широкополосных приложений. Крутизна характеристики от 1 мА/В при токах стока в единицы миллиампер и высокое входное сопротивление p-n-затвора обеспечивают усиление без нагрузки источника сигнала.

Область применения — прецизионная измерительная и научная аппаратура советского производства: электрометрические усилители, входные каскады осциллографов и самописцев, усилители для датчиков с высоким выходным сопротивлением (ионизационные камеры, пьезодатчики, pH-электроды), а также аудиотракт высокого класса, где требуется минимальный шум и дрейф нуля. По функциональному назначению 2ПС104Д близка к западным парным JFET-сборкам класса 2N3954 и современным аналогам типа LSK389 (Linear Integrated Systems) — все они решают одну и ту же задачу: дать разработчику дифференциального каскада два заранее согласованных транзистора в одном корпусе вместо ручного отбора пар.

2ПС104Д — полевой транзистор. Сдвоенное исполнение (транзисторная сборка). Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

```

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2ПС104Д

Электрические параметры

Параметр2ПС104Д
Крутизна S1-S2 / I(U)1.0-/(10)
Iнач I01-I02 / U1.1-3.0/10
Cвх, пФ4.5
Cпр, пФ1.5
Uзи отс / Iс(1.0-3.0)
Uзс max, В30
Uзи max, В30
Uси max, В25
Pрас45
Проводимость / каналP-N/N

Все исполнения серии: 2ПС104А

Паспортные параметры 2ПС104Д

Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА1,1…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,8…3
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В1
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В1
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,5
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ5
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ70
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C150
Масса транзистора, не более, г2

Чем 2ПС104Д отличается от других исполнений

ПараметрАБВГДЕ
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,80,1…0,80,35…1,51,1…31,1…30,35…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…10,2…10,4…20,8…30,8…30,4…2
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,360,360,65110,65
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,350,350,65110,65
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,260,260,30,50,50,3
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ0,41515
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ606070707060
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C5015015010015020

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
  • Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»