2ПС202Г2 — кремниевая транзисторная сборка, содержащая два эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых транзистора с p-n переходом и каналом n-типа, подобранных по основным электрическим параметрам и размещённых в едином корпусе. Буква «С» в обозначении по советской системе указывает на класс маломощных транзисторов средней частоты (рабочий диапазон до 30 МГц), а конструктивный признак «двойная сборка» принципиально отличает её от одиночных КП202/2П202: оба кристалла технологически согласованы, что даёт близкое начальное напряжение отсечки и одинаковую крутизну характеристики у обоих плеч.
Сборка создавалась под конкретную задачу — входные каскады дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет на несколько порядков большее входное сопротивление, чем биполярный, и практически не потребляет тока затвора, что делает его незаменимым в прецизионных усилителях, электрометрах и измерительных схемах с источниками сигнала с высоким внутренним сопротивлением. Напряжение сток-исток до 15 В и рассеиваемая мощность 60 мВт — типичные ограничения для сигнального применения: прибор не силовой, его стихия — слабые аналоговые сигналы с минимальным внесённым шумом. Малая проходная ёмкость (2 пФ) снижает влияние эффекта Миллера и облегчает обеспечение устойчивости в широкополосных схемах.
Подобные двойные сборки полевых транзисторов были востребованы в советском приборостроении 1970-80-х годов: прецизионные операционные усилители, дифференциальные входные каскады осциллографов, медицинская измерительная аппаратура, pH-метры и иономеры, электрокардиографы, а также схемы выборки-хранения в аналоговых вычислительных устройствах. Согласованность кристаллов внутри корпуса позволяла получить значительно лучший температурный дрейф нуля дифференциального каскада по сравнению с двумя отдельными транзисторами, даже тщательно отобранными вручную. Именно это качество делало сборки типа 2ПС202 ценным компонентом там, где было критично подавление синфазной помехи.
По функциональному назначению 2ПС202Г2 близка к зарубежным спаренным JFET-сборкам, таким как 2N5912 (двойной n-канальный JFET, Siliconix/Calogic). В советской номенклатуре аналогичную роль играли КПС202 (гражданская версия в схожем корпусе) и более поздние сборки серии 2ПС104. Суффикс «Г2» обозначает вариант по сочетанию электрических параметров (напряжение отсечки 1,0-3,0 В, начальный ток стока 1,1-3,0 мА при Uси = 10 В) — важная деталь при замене: в дифференциальном каскаде нужна сборка с нужным окном отсечки, иначе схема выйдет из рабочей точки.
2ПС202Г2 — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
