Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2ПС104А — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2ПС104А — это сдвоенная транзисторная сборка, содержащая два кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых транзистора с p-n переходом в качестве затвора и каналом n-типа. Принципиальное отличие от одиночного прибора: оба транзистора изготовлены в едином технологическом цикле на одном кристалле, что обеспечивает близкое совпадение их параметров — начального тока стока, напряжения отсечки и температурного дрейфа. Именно это свойство попарного согласования и определяет всю область применения сборки.

Прибор ориентирован на входные каскады малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Полевой транзистор с p-n переходом (JFET) по природе своей обеспечивает пренебрежимо малый ток утечки затвора (единицы-десятки наноампер) и не требует смещения тока базы — это делает его незаменимым на входе высокоомных измерительных схем. Рассеиваемая мощность всего 45 мВт подчёркивает маломощный класс прибора: он не для силовых ключей и не для усиления мощных сигналов, а для работы с малыми аналоговыми сигналами при высоких требованиях к шуму и смещению нуля. Сборки с малым начальным током (варианты А/Б, Iнач 0,1-0,8 мА) применялись там, где критична нижняя граница тока покоя; варианты с большим током (Г/Д, до 3 мА) давали более высокую крутизну и подходили для каскадов с большим динамическим диапазоном.

Типичная аппаратура — прецизионные измерительные усилители, электрометры, входные каскады осциллографов, медицинское измерительное оборудование (ЭКГ, ЭЭГ), промышленные датчиковые тракты. Семейство существовало в двух вариантах обозначения: 2ПС104 (военная приёмка, более жёсткий отбор) и КПС104 (коммерческая/ширпотреб, приёмка ОТК). Обширный ряд из десяти модификаций (А-Е и Ж-Л) отражает жёсткое нормирование разброса параметров: покупатель выбирал вариант под конкретный диапазон Iнач и Uотс, минимизируя подбор при сборке дифференциальных пар. Корпус — металлостеклянный с гибкими выводами, что типично для советских прецизионных аналоговых приборов того периода.

Зарубежные функциональные аналоги — 2N5452 (для вариантов КПС104А), а также японские UPA70A / UPA71A. В целом класс советских сдвоенных JFET (КПС104, 2ПС104) аналогичен западным парным сборкам вроде 2N4082-2N4085 и более поздним ИМС типа MAT-02 в части концепции согласованных пар, хотя схема реализации иная. Сборка по-прежнему встречается в запасах у отечественных поставщиков и используется радиолюбителями и разработчиками прецизионной аналоговой техники там, где важна пара с гарантированным температурным трекингом без внешнего подбора.

2ПС104А — полевой транзистор. Варианты: 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104Ж, КПС104И, КПС104К, КПС104Л. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2ПС104А

Электрические параметры

Параметр2ПС104А2ПС104Б2ПС104В2ПС104Г2ПС104Д2ПС104ЕКПС104ЖКПС104ИКПС104ККПС104Л
Крутизна S1-S2 / I(U)0.35-/(10)0.35-/(10)0.65-/(10)1.0-/(10)1.0-/(10)0.65-/(10)0.85-/(10)0.85-/(10)1.05-/(10)1.05-/(10)
Iнач I01-I02 / U0.1-0.8/100.1-0.8/100.35-1.5/101.1-3.0/101.1-3.0/100.35-3.0/100.6-1.5/100.6-1.5/101.1-3.0/101.1-3.0/10
Iз ут, нА0.31.01.01.01.00.10.11.00.11.1
C11, пФ4.54.54.54.54.54.54.54.54.54.5
C12, пФ1.51.51.51.51.51.51.51.51.51.5
Uотс, В0.2-1.00.2-1.00.4-2.01.0-3.01.0-3.00.4-2.00.65-2.00.65-2.01.0-3.21.0-3.2
Uзс max, В30303030303020202020
Uси max, В25252525252515151515
Pрас45454545454545454545
Тип проводимостиP-NP-NP-NP-NP-NP-NP-NP-NP-NP-N
КаналNNNNNNNNNN

Исполнения серии

КПС104А · 2ПС104Б · КПС104Б · 2ПС104В · КПС104В · 2ПС104Г · КПС104Г · 2ПС104Д · КПС104Д · 2ПС104Е · КПС104Ж · КПС104И · КПС104К · КПС104Л

Паспортные параметры 2ПС104А

Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,8
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…1
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,36
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,35
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,26
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ0,4
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ10
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ60
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C50
Масса транзистора, не более, г2

Чем 2ПС104А отличается от других исполнений

ПараметрАБВГДЕ
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА0,1…0,80,1…0,80,35…1,51,1…31,1…30,35…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В0,2…10,2…10,4…20,8…30,8…30,4…2
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В0,360,360,65110,65
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В0,350,350,65110,65
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В0,260,260,30,50,50,3
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ0,41515
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ1010505020
Разность напряжений затвор-исток при +125 °C, не более, мВ606070707060
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C5015015010015020

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
  • Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»