КПС104А — транзистор

Описание и применение

Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.

Технические характеристики

Обозначение	КПС104А
Зарубежный аналог	2N5452

Паспортные параметры КПС104А

Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	0,1…0,8
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В	0,2…1
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В	0,35
Крутизна характеристики при −45 °C, не менее, мА/В	0,35
Крутизна характеристики при +85 °C, не менее, мА/В	0,25
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ	0,4
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ	30 (см. расхождения ниже)
Разность напряжений затвор-исток при +85 °C, не более, мВ	60
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C	50
Отношение начальных токов стока половин пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее	0,9
Отношение напряжений отсечки половин пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА и +25 °C, не менее	0,9
Масса транзистора, не более, г	2

Чем КПС104А отличается от других исполнений

Параметр	А	Б	В	Г	Д
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	0,1…0,8	0,1…0,8	0,35…1,5	1,1…3	1,1…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В	0,2…1	0,2…1	0,4…2	0,8…3	0,8…3
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В	0,35	0,35	0,65	1,0	1,0
Крутизна характеристики при −45 °C, не менее, мА/В	0,35	0,35	0,65	1	1
Крутизна характеристики при +85 °C, не менее, мА/В	0,25	0,25	0,3	0,5	0,5
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ	0,4	1	5	1	5
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ	30 (см. расхождения ниже)	30 (см. расхождения ниже)	50	50	50
Разность напряжений затвор-исток при +85 °C, не более, мВ	60	60	70	70	70
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C	50	150	150	100	150

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995

Внешний вид

Все исполнения серии: 2ПС104А