Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Технические характеристики
Обозначение
КПС104В
Зарубежный аналог
UC2147
Паспортные параметры КПС104В
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
0,35…1,5
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В
0,4…2
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В
0,65
Крутизна характеристики при −45 °C, не менее, мА/В
0,65
Крутизна характеристики при +85 °C, не менее, мА/В
0,3
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ
5
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ
50
Разность напряжений затвор-исток при +85 °C, не более, мВ
70
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C
150
Отношение начальных токов стока половин пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее
0,9
Отношение напряжений отсечки половин пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА и +25 °C, не менее
0,9
Масса транзистора, не более, г
2
Чем КПС104В отличается от других исполнений
Параметр
А
Б
В
Г
Д
Начальный ток стока каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
0,1…0,8
0,1…0,8
0,35…1,5
1,1…3
1,1…3
Напряжение отсечки каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Iс = 10 мкА, В
0,2…1
0,2…1
0,4…2
0,8…3
0,8…3
Крутизна характеристики каждого транзистора пары при Uси = 10 В, Uзи = 0 и +25 °C, не менее, мА/В
0,35
0,35
0,65
1,0
1,0
Крутизна характеристики при −45 °C, не менее, мА/В
0,35
0,35
0,65
1
1
Крутизна характеристики при +85 °C, не менее, мА/В
0,25
0,25
0,3
0,5
0,5
Шумовое напряжение каждого транзистора пары в полосе 0,1…10 Гц при Uси = 10 В и Rг = 30 кОм, не более, мкВ
0,4
1
5
1
5
Разность напряжений затвор-исток между половинами пары при Uси = 10 В и +25 °C, не более, мВ
30 (см. расхождения ниже)
30 (см. расхождения ниже)
50
50
50
Разность напряжений затвор-исток при +85 °C, не более, мВ
60
60
70
70
70
Температурный уход разности напряжений затвор-исток при Uси = 10 В, не более, мкВ/°C
50
150
150
100
150
Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 866
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995
