Транзисторы МП37Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП37Б
Оба улучшения серии в одной литере
МП37Б соединяет то, что у других исполнений встречается порознь: удвоенные предельные напряжения (30 В до +40 °C и 20 В выше) и наибольший коэффициент передачи тока — 25—50 при комнатной температуре против 15—30 у МП37 и МП37А. На −55 °C нормируется 8—50, при +60 °C — 25—100. Это верхняя точка серии по усилению. Режим измерения тот же, что у остальных исполнений: коллектор-база 5 В, ток эмиттера 1 мА, частота 1 кГц.
Где предел по мощности
Рассеиваемая мощность 150 мВт до +55 °C и 75 мВт при +70 °C, тепловое сопротивление переход—среда 200. Отсюда видно, откуда взялся предел температуры перехода 85 °C: полный ток и полная мощность одновременно допустимы лишь в нижней части температурного диапазона. Ток коллектора в усилительном режиме 20 мА, в насыщении и импульсе 150 мА, ток эмиттера в насыщении тоже 150 мА. Уровень утечки при этом не изменился, так что выигрыш в усилении достался этой литере без ухудшения обратных токов.
Частота и паразитные параметры
Предельная частота коэффициента передачи тока не менее 1 МГц — по этой графе исполнения не различаются. Ёмкость коллекторного перехода при 5 В не превышает 60 пФ, объёмное сопротивление базы 220 Ом, выходная проводимость в схеме с общей базой 3,3. Коэффициент шума для МП37 в справочниках не нормирован. Постоянная времени, которую задают сопротивление базы 220 Ом и ёмкость 60 пФ, отвечает частоте на порядок выше нормируемого мегагерца, так что верх полосы определяет именно предельная частота.
Обратные токи серии
Обратный ток коллектора нормируется величиной 30 мкА при +20 °C и 250 мкА при +60 °C, измерение ведётся при 5 В; по эмиттерному переходу допускается 15 мкА. Значения одинаковы для всех трёх исполнений серии и взяты из справочных изданий, где МП37 печатался общей таблицей с соседними типами. Диапазон рабочих температур среды — от −60 до +70 °C, предел по температуре перехода 85 °C.
Паспортные параметры МП37Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
30
Uкб макс при +40…+70 °C, В
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
30
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
20
Iк макс в режиме усиления, мА
20
Iк макс в режиме насыщения или в импульсном режиме, мА
150
Iэ макс (постоянный ток эмиттера в режиме насыщения), мА
150
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +55 °C), мВт
150
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
25-50
h21э при −55 °C, -
8-50
h21э при +60 °C, -
25-100
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
Iкбо (обратный ток коллектора; Uкб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
30
Iкбо при +60 °C, Uкб = 5 В, не более, мкА
250
Iэбо (обратный ток эмиттера; Uэб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
h22б макс (выходная проводимость при холостом ходе; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц), мкСм
3,3
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП37Б отличается от других исполнений
Параметр
МП37
А
Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкб макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
15-30
15-30
25-50
h21э при −55 °C, -
6-30
6-30
8-50
h21э при +60 °C, -
15-60
15-60
25-100
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.248 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.249 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 101-102
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.44 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.45 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 250-252 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.46 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.47 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
