Транзисторы МП37А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП37А
Удвоенное допустимое напряжение
МП37А отличается от МП37 только предельными напряжениями. По коллектор-базе и коллектор-эмиттеру (при сопротивлении в цепи база-эмиттер не выше 200 Ом) нормируется 30 В в интервале −60…+40 °C и 20 В при нагреве до +70 °C; у бесбуквенного прибора в тех же графах стоит 15 и 10 В. Структура n-p-n, германий, сплавная технология, металлостеклянный корпус с гибкими выводами. Масса прибора не превышает 2 г.
Коэффициент передачи — как у базовой литеры
Усиление у этой литеры не выросло: 15—30 при +20 °C, 6—30 при −55 °C, 15—60 при +60 °C — те же значения, что у МП37. Оба уступают МП37Б, где нормируется 25—50. Условия измерения не меняются: коллектор-база 5 В, эмиттерный ток 1 мА, частота 1 кГц. Предельная частота коэффициента передачи тока — от 1 МГц для всех трёх исполнений. Разница между МП37 и МП37А сводится к тому, какое питание допустимо подать на каскад: по малосигнальным графам эти две литеры совпадают.
Токовые и тепловые ограничения
В режиме усиления допускается 20 мА коллекторного тока, в насыщении и в импульсе — 150 мА, столько же по эмиттеру. Мощность 150 мВт до +55 °C, 75 мВт при +70 °C. Общее тепловое сопротивление переход—среда 200, предельная температура перехода 85 °C. Граница температурных зон для напряжений проходит по +40 °C: ниже неё действует 30 В, выше — 20 В.
Утечки германиевого перехода
Норма обратного тока коллектора при 5 В — 30 мкА на +20 °C и 250 мкА на +60 °C; по эмиттерному переходу нормируется 15 мкА. Рост коллекторной утечки с 30 до 250 мкА на сорока градусах нагрева — обычная плата за германий, и цепь смещения приходится делать с запасом. Ёмкость коллекторного перехода не более 60 пФ, сопротивление базы не более 220 Ом. Коэффициент шума в этой серии не нормируется. Выходная проводимость в схеме с общей базой не выше 3,3.
Паспортные параметры МП37А
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
30
Uкб макс при +40…+70 °C, В
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
30
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
20
Iк макс в режиме усиления, мА
20
Iк макс в режиме насыщения или в импульсном режиме, мА
150
Iэ макс (постоянный ток эмиттера в режиме насыщения), мА
150
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +55 °C), мВт
150
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
15-30
h21э при −55 °C, -
6-30
h21э при +60 °C, -
15-60
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
Iкбо (обратный ток коллектора; Uкб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
30
Iкбо при +60 °C, Uкб = 5 В, не более, мкА
250
Iэбо (обратный ток эмиттера; Uэб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
h22б макс (выходная проводимость при холостом ходе; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц), мкСм
3,3
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП37А отличается от других исполнений
Параметр
МП37
А
Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкб макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
15-30
15-30
25-50
h21э при −55 °C, -
6-30
6-30
8-50
h21э при +60 °C, -
15-60
15-60
25-100
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.248 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.249 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 101-102
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.44 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.45 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 250-252 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.46 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.47 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
