Транзисторы МП37 германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП37
Германиевый n-p-n низкочастотной группы
МП37 — германиевый сплавной транзистор структуры n-p-n, маломощный, низкочастотный, усилительного назначения; корпус металлостеклянный с гибкими выводами, масса не более 2 г. Коэффициент шума у него не нормируется. Внутри своей серии бесбуквенное исполнение — самое низковольтное: 15 В по коллектор-базе и коллектор-эмиттеру в интервале −60…+40 °C и 10 В при дальнейшем нагреве, тогда как у литер А и Б те же графы содержат 30 и 20 В.
Усиление
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером нормирован диапазоном 15—30 при +20 °C — столько же, сколько у МП37А; больше даёт только МП37Б со своими 25—50. Режим измерения: Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, частота 1 кГц. На −55 °C гарантируется 6—30, при +60 °C — 15—60. Предельная частота коэффициента передачи тока не менее 1 МГц.
Токи в усилении и насыщении
Ток коллектора в режиме усиления 20 мА, в режиме насыщения либо импульсном — 150 мА; столько же составляет предельный постоянный ток эмиттера в насыщении. Рассеиваемая мощность 150 мВт при температуре до +55 °C и 75 мВт при +70 °C. Переход не должен нагреваться выше 85 °C, тепловое сопротивление до среды — 200, окружающая среда от −60 до +70 °C.
Обратные токи и малосигнальные величины
Обратный ток коллектора при 5 В — не свыше 30 мкА при комнатной температуре и не свыше 250 мкА при +60 °C; обратный ток эмиттера при том же напряжении вдвое меньше, 15 мкА. Ёмкость коллекторного перехода до 60 пФ, объёмное сопротивление базы 220 Ом, выходная проводимость с общей базой 3,3. Предельные напряжения делятся здесь по температурным зонам с границей +40 °C, а не +50 °C, как у ряда соседних МП-серий. Значения приведены по печатным справочным таблицам.
Паспортные параметры МП37
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
15
Uкб макс при +40…+70 °C, В
10
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
15
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
10
Iк макс в режиме усиления, мА
20
Iк макс в режиме насыщения или в импульсном режиме, мА
150
Iэ макс (постоянный ток эмиттера в режиме насыщения), мА
150
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +55 °C), мВт
150
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
15-30
h21э при −55 °C, -
6-30
h21э при +60 °C, -
15-60
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
Iкбо (обратный ток коллектора; Uкб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
30
Iкбо при +60 °C, Uкб = 5 В, не более, мкА
250
Iэбо (обратный ток эмиттера; Uэб = 5 В) при +20 °C, не более, мкА
h22б макс (выходная проводимость при холостом ходе; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц), мкСм
3,3
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП37 отличается от других исполнений
Параметр
МП37
А
Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкб макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 200 Ом) при −60…+40 °C, В
15
30
30
Uкэ макс при +40…+70 °C, В
10
20
20
h21э (коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, f = 1 кГц) при +20 °C, -
15-30
15-30
25-50
h21э при −55 °C, -
6-30
6-30
8-50
h21э при +60 °C, -
15-60
15-60
25-100
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.248 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы» под ред. Н. Н. Горюнова, 1976, с.249 (текстовый слой)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 101-102
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.44 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.45 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 250-252 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.46 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.47 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
