Транзисторы П307 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
П307
Зарубежный аналог
2N734
Верхняя планка по напряжению, полный ток коллектора
П307 — кремниевый планарный транзистор структуры n-p-n, переключательный маломощный, для ключевых схем и преобразователей постоянного напряжения. В ряду из пяти исполнений он стоит на верхней ступени по предельному напряжению: 80 В и по переходу коллектор-база, и по цепи коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база не более 10 кОм. Столько же держат П307А, П307Б и П307Г, а вот П307В ограничен шестьюдесятью вольтами. Постоянный ток коллектора здесь полный — 30 мА против пятнадцати у исполнений Б и Г; импульсный при длительности до 1 мкс и скважности от десяти составляет 120 мА. Напряжение эмиттер-база — 3 В.
Открытое состояние: наименьшее нормированное сопротивление
Для ключа главное — сколько он теряет в открытом состоянии. Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 15 мА и токе базы 3 мА нормировано величиной не более 100 Ом при +25 °C, и это наименьшее из нормированных в серии значений: у П307В в том же режиме стоит 130 Ом, на тридцать процентов больше. При нагреве до +125 °C предел поднимается до 240 Ом. Расплата за низкое сопротивление — самая скромная группа усиления: коэффициент передачи в режиме малого сигнала лежит между 16 и 50 при Uкб = 20 В и токе эмиттера 10 мА, тогда как исполнения Б и В доходят до 150. Входное сопротивление в том же режиме — не более 70 Ом.
Мощность, утечки, быстродействие
Рассеиваемая мощность нормирована ступенями по температуре среды: 250 мВт до +20 °C, 150 мВт при 100 °C, 100 мВт при 120 °C и 87,5 мВт при 125 °C. Обратный ток коллектора при максимальном для прибора напряжении — не более 3 мкА. Ток коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база до 10 кОм не превышает 20 мкА в комнате и 200 мкА при 125 °C, ток эмиттера при Uэб = 3 В — 5 и 15 мкА соответственно. Граничная частота коэффициента передачи тока не ниже 20 МГц при Uкб = 20 В и токе эмиттера 4 мА. Температура перехода до 150 °C, масса не более 2 г, общее тепловое сопротивление 800 °C/Вт до среды 100 °C и 400 °C/Вт выше неё.
Происхождение чисел и монтажная оговорка
Кристалл у всех букв этого типа, а также у П308 и П309, один и тот же и стоит в одном корпусе: различаются приборы только предельным напряжением, коэффициентом передачи и постоянным током коллектора, остальные нормы у них общие. Справочник 1985 года так их и описывает — единой статьёй на четыре обозначения. Исполнений П307А, П307Б и П307Г в этой статье нет, их значения пришлось брать из табличных справочников 1975, 1979 и 1989 годов. Отдельно оговорён монтаж: паять выводы разрешено не ближе пяти миллиметров от корпуса.
Паспортные параметры П307
Uкб макс и Uкэ макс при Rэб ≤ 10 кОм (постоянные), В
80
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
3
Iк макс (постоянный ток коллектора), мА
30
Iк,и макс (импульсный ток коллектора) при tи ≤ 1 мкс и скважности Q ≥ 10, мА
120
Pк макс при температуре среды ≤ 20 °C, мВт
250
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб, равном максимальному, не более, мкА
3
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 4 мА, не менее, МГц
20
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Общее тепловое сопротивление при температуре среды ≤ 100 °C, °C/Вт
800
Общее тепловое сопротивление при температуре среды выше 100 °C, °C/Вт
400
Масса транзистора, не более, г
2
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, —
16…50
Pк макс при температуре среды 100 °C, мВт
150
Pк макс при температуре среды 120 °C, мВт
100
Pк макс при температуре среды 125 °C, мВт
87,5
Rвх (входное сопротивление) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, не более, Ом
70
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +25 °C, не более, Ом
100
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +125 °C, не более, Ом
240
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +25 °C, не более, мкА
20
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +125 °C, не более, мкА
200
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +25 °C, не более, мкА
5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +125 °C, не более, мкА
15
Чем П307 отличается от других исполнений
Параметр
П307
А
Б
В
Г
Uкб макс и Uкэ макс при Rэб ≤ 10 кОм (постоянные), В
80
80
80
60
80
Iк макс (постоянный ток коллектора), мА
30
30
15
30
15
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, —
16…50
30…90
50…150
50…150
16…50
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +25 °C, не более, Ом
100
—
—
130
—
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Бессарабов. Диоды, тиристоры, транзисторы широкого применения, 1994 г., табл. 3.1.2 (текстовый слой книги)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.61 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 298 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 373 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; режим tи ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 прочитан отдельным увеличением)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 — 30 мА для группы П307, П307В, П308, П309 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 — для П307В то же 50—150, для П307 указано 20—60 (глазами; см. «спорное»)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,4 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,8 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 423 К)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 879), 1975 г., строки 549—553
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.68—71 (глазами)
